TMH透過投資Patentix建立戰略合作夥伴關係，共同開發下一代功率半導體材料

株式會社TMH（以下簡稱「TMH」，總公司：大分縣大分市，代表取締役社長：榎並大輔）與Patentix株式會社（以下簡稱「Patentix」，總公司：滋賀縣草津市，代表取締役社長：衣斐豐祐）宣布，TMH透過對Patentix的投資，已建立戰略合作夥伴關係，以實現下一代功率半導體材料的實際應用。

隨著AI的快速發展和數據處理量的增加，半導體正逐漸轉變為社會基礎設施本身。同時，以數據中心和移動領域為中心，電力消耗的增加成為一個挑戰，人們對能夠大幅提高電力效率的下一代功率半導體材料寄予厚望。

Patentix正在研究開發的r-GeO₂作為一種能夠應對這些挑戰的新材料而備受關注。兩家公司將透過本次合作夥伴關係，發揮各自優勢，推進合作。

合作夥伴關係的背景與目的

TMH以實現「不停產製造」為宗旨，透過利用EC平台提供半導體製造設備、零件採購和維修服務，以及利用工程技術銷售半導體製造設備，支援半導體製造現場的穩定運作。

半導體產業中的「停產風險」不僅限於設備和零件等操作領域。電力效率和材料特性等更上游的技術領域所引起的結構性問題，也是影響製造持續性的重要因素。TMH認為，為了在中長期內實現「不停產製造」，除了維持供應鏈外，參與支援製造進步的尖端技術領域也至關重要。

在中長期願景「Vision1000」（目標銷售額1000億日元的計畫）中，對尖端領域的投資和合作夥伴關係被定位為業務增長的重要戰略之一，本次合作即是具體實踐。

另一方面，Patentix作為立命館大學的深度科技新創公司，一直致力於下一代功率半導體材料r-GeO₂的研究開發。為了加速r-GeO₂的實際應用，不僅需要材料研究，還需要半導體製造工藝和量產方面的實踐知識。Patentix認為，與TMH所擁有的製造現場知識和供應鏈網絡合作，將有助於推動r-GeO₂的社會實施。

雙方對這些挑戰和期望的共識促成了本次合作夥伴關係的建立。

關於Patentix的技術

在功率半導體領域，碳化矽（SiC）和氧化鎵（Ga₂O₃）等作為替代矽（Si）的下一代材料，其研究和社會實施的探討一直在進行。雖然SiC已實現p型和n型兩種導電性，但對於Ga₂O₃等具有更寬帶隙的材料群，實現器件設計不可或缺的p型摻雜仍然是一個重大挑戰。

如果無法實現p型和n型兩種導電性，不僅電路設計的自由度會受到限制，電力轉換效率和設備小型化也會受到制約。

Patentix正在研究開發的金紅石型二氧化鍺（r-GeO₂）是一種備受關注的新材料，有望解決這個問題。其帶隙約為4.68 eV，與Ga₂O₃相當，具有超寬帶隙，同時理論上可以實現p型和n型兩種導電性。此外，據稱其熱導率和電子遷移率均優於Ga₂O₃，作為功率器件的綜合性能指標（巴利加性能指數）也顯示出超越現有材料的潛力。

Patentix已成功利用其獨特的薄膜生長技術「Phantom SVD法」製備r-GeO₂薄膜，並於2024年全球首次成功驗證了使用r-GeO₂單晶薄膜的肖特基勢壘二極體（SBD）的運作，穩步累積了實現實際應用的技術里程碑。

兩家公司的角色與未來展望

透過本次合作夥伴關係，將TMH在半導體製造現場的知識和供應鏈網絡與Patentix的尖端材料技術相結合，將加速下一代功率半導體的實際應用。

TMH將利用其在半導體製造現場的零件採購和設備運作知識，以及國內外供應鏈網絡，為r-GeO₂的應用開發和量產化方面的實際問題解決做出貢獻。

Patentix將利用其在r-GeO₂材料技術和器件設計方面的專業知識，推動下一代功率半導體的技術開發和社會實施。

兩家公司將共同推進下一代材料實際應用中的問題解決和應用開發，並為整個半導體供應鏈的升級做出貢獻。

投資概要

Patentix株式會社實施了總額為149,997,600日元的第三方配股增資，TMH認購了其中一部分。本次投資旨在建立兩家公司之間的戰略合作夥伴關係。

透過本次投資，兩家公司將加強合作，發揮各自優勢，推進下一代功率半導體材料的實際應用。

Patentix株式會社

總公司：滋賀縣草津市

代表取締役社長：衣斐豐祐

設立：2022年12月（立命館大學新創公司）

業務內容：金紅石型二氧化鍺（r-GeO₂）半導體基板及功率器件的研究開發、製造、銷售

網址：https://www.patentix.co.jp/

株式會社TMH

總公司：大分縣大分市

代表取締役社長：榎並大輔

業務內容：利用工程技術銷售二手半導體製造設備，以及營運EC平台「LAYLA-EC」提供零件銷售和維修服務

網址：https://www.tmh-inc.co.jp/