意法半導體推出全新GaN產品，助力AI伺服器至機器人等高效能應用提升電力效率

意法半導體（NYSE：STM，以下簡稱ST）宣布推出全新的氮化鎵（GaN）功率半導體，旨在為支援電氣化的高效能應用提供更高的效率與功率密度。STPOWER產品組合中的700V PowerGaN產品，旨在解決AI伺服器功耗增加以及對超越傳統矽技術極限的高效能電力轉換需求等挑戰。

ST的新型PowerGaN產品實現了高壓電源的高效率與高功率密度。其設計目標為700V額定電壓，支援可靠的大功率運作與更高頻的電路架構。憑藉PowerGaN固有的低導通損耗、高頻運作時極低的開關損耗以及零反向恢復電荷等特性，這些產品能實現系統的小型化、輕量化並降低運作溫度。這些特性對於機器人、工業電源以及用於發電、輸配電與儲能的智慧電網轉換器中所使用的功率半導體尤為重要。

ST功率與離散元件子集團執行副總裁Mario Aleo表示：「透過將這些全新的700V產品加入我們的PowerGaN產品組合，我們將氮化鎵技術的優勢擴展至中高功率應用。ST將持續透過增加電壓等級與功能，進一步強化GaN產品組合，以支援未來的AI伺服器、人形機器人、工業電源以及包括家電在內的先進消費性電源應用。」

技術資訊

ST的700V PowerGaN系列新增了7款GaN HEMT，支援6A至29A的寬廣連續電流額定值，以及53mΩ至270mΩ的標準導通電阻（RDS(on)）。這些產品還具備GaN寬能隙技術固有的極低內部電容與低閘極電荷，所有型號在Qg × RDS(on)的品質因數（FoM）方面均大幅超越傳統矽產品。

符合ST可靠性標準的新型700V PowerGaN電晶體在提供更多選擇的同時，實現了最先進的效能與效率。它們可以直接取代電力轉換電路中的MOSFET，並實現更高頻率的新電路架構。由於能夠在高開關頻率下運作，磁性元件與被動元件得以縮小，從而實現更緊湊的功率級與更高的功率密度。

該產品得到主要EDA（電子設計自動化）函式庫與工具鏈的廣泛支援，並提供經過驗證的表面黏著封裝（DPAK、TO-LL、PowerFLAT）。TO-LL與PowerFLAT封裝產品配備了將閘極控制電路與主電力路徑分離的克爾文源極（Kelvin-source）接腳，具有極高的抗噪能力，可保護閘極驅動器並確保時序裕度。此次發表的產品如下：

SGT350R70GTK（6A、270mΩ*）：採用具備可焊接端子的3接腳DPAK封裝（6.10 x 6.60mm）。

SGT070R70HTO（26A、53mΩ*）：採用具備優異散熱效率汲極/源極連接端子的無引腳TO-LL封裝。

SGT080R70ILB（29A、60mΩ*）、SGT105R70ILB（21.7A、80mΩ*）、SGT140R70ILB（17A、106mΩ*）、SGT190R70ILB（11.5A、138mΩ*）、SGT240R70ILB（10A、165mΩ*）：均採用具備可焊接源極焊墊以增強散熱性能的PowerFLAT 8x8封裝。

(*) 標準導通電阻（RDS(on)）

新款700V PowerGaN電晶體目前已進入量產，可透過ST的eStore或授權經銷商購買。1000顆採購量的單價約為0.63美元至2.25美元。

詳細資訊請參閱網站。

關於意法半導體

ST是一家全球半導體領導廠商，擁有約49,000名員工、完整的供應鏈與最先進的製造設施。ST與超過20萬家客戶及數千家合作夥伴合作，開發半導體解決方案並建構生態系統，以支援業務創新與永續社會。ST的技術實現了智慧移動、高效電力與能源管理，以及雲端連接自主裝置的普及。ST致力於在2027年底前實現碳中和，包括所有範疇1與2排放以及範疇3的重點領域，並計畫在2027年底前使用100%再生能源。更多資訊請參閱 http://www.st.com。