ROHM SiC MOSFET 獲 AI 伺服器 BBU 採用，助力 HVDC 電源架構

ROHM Co., Ltd.（總部：京都市）宣布其 750V 耐壓 SiC MOSFET 已獲 AI 伺服器電源的電池備用單元 (BBU) 採用。隨著生成式 AI 的普及，AI 伺服器電源的高壓化及向 HVDC（高壓直流）架構遷移的步伐加快，SiC 功率元件因能支撐次世代電源系統而被選定。

隨著生成式 AI 帶動 GPU 性能提升，資料中心的電力消耗正急劇增加。為因應此挑戰，業界正轉向旨在降低傳輸損耗的 HVDC 架構。在此類大電力、高電壓環境下，為在停電或瞬間壓降時保護系統及龐大資料，伺服器機櫃級別的 BBU 及 CU（電容單元）的角色日益重要。

此次採用的產品為 750V 耐壓的 SiC MOSFET「SCT4013DLL」，搭載於 AI 伺服器 ±400V 電源架構部分。該產品充分利用 SiC 的特性，具備最高接點溫度 (Tj) 175°C 的耐熱性，即使在因電壓升高、功率密度提升而導致發熱量增加的 BBU 中，亦能實現穩定運作。

此外，在次世代 800VDC 電源架構中，提供給 BBU 內部電池組的電源電壓約為 560V，因此同樣可使用 750V 耐壓型的 ROHM SiC MOSFET。

次世代 AI 伺服器 HVDC 電源需要一個能在發生異常時瞬間且以低損耗控制高壓大電流的備用系統。面對此種嚴苛要求，結合高耐壓、低損耗、耐高溫特性的 SiC 功率元件，被視為擔負電力控制核心的關鍵裝置。

ROHM 未來將繼續著眼於 AI 伺服器及資料中心市場的成長，強化 SiC、GaN 及矽功率元件的開發與供應。此外，將透過整合類比 IC 等解決方案，致力於提升電力效率並實現可持續發展的社會。