ROHM SiC MOSFET 獲 AI 伺服器 BBU 採用，助力 HVDC 電源架構
ROHM (京都市) 的 750V 耐壓 SiC MOSFET「SCT4013DLL」已獲 AI 伺服器電池備用單元 (BBU) 採用。在 AI 伺服器電源高壓化趨勢下，該產品憑藉對 HVDC 架構的支持而脫穎而出。
📋 文章處理履歷
- 📰 發表: 2026年5月21日 19:00
- 🔍 收集: 2026年5月21日 10:31
- 🤖 AI分析完成: 2026年5月21日 21:30（收集後10小時58分鐘）
ROHM Co., Ltd.（總部：京都市）宣布其 750V 耐壓 SiC MOSFET 已獲 AI 伺服器電源的電池備用單元 (BBU) 採用。隨著生成式 AI 的普及，AI 伺服器電源的高壓化及向 HVDC（高壓直流）架構遷移的步伐加快，SiC 功率元件因能支撐次世代電源系統而被選定。
隨著生成式 AI 帶動 GPU 性能提升，資料中心的電力消耗正急劇增加。為因應此挑戰，業界正轉向旨在降低傳輸損耗的 HVDC 架構。在此類大電力、高電壓環境下，為在停電或瞬間壓降時保護系統及龐大資料，伺服器機櫃級別的 BBU 及 CU（電容單元）的角色日益重要。
此次採用的產品為 750V 耐壓的 SiC MOSFET「SCT4013DLL」，搭載於 AI 伺服器 ±400V 電源架構部分。該產品充分利用 SiC 的特性，具備最高接點溫度 (Tj) 175°C 的耐熱性，即使在因電壓升高、功率密度提升而導致發熱量增加的 BBU 中，亦能實現穩定運作。
此外，在次世代 800VDC 電源架構中，提供給 BBU 內部電池組的電源電壓約為 560V，因此同樣可使用 750V 耐壓型的 ROHM SiC MOSFET。
次世代 AI 伺服器 HVDC 電源需要一個能在發生異常時瞬間且以低損耗控制高壓大電流的備用系統。面對此種嚴苛要求，結合高耐壓、低損耗、耐高溫特性的 SiC 功率元件，被視為擔負電力控制核心的關鍵裝置。
ROHM 未來將繼續著眼於 AI 伺服器及資料中心市場的成長，強化 SiC、GaN 及矽功率元件的開發與供應。此外，將透過整合類比 IC 等解決方案，致力於提升電力效率並實現可持續發展的社會。
隨著生成式 AI 帶動 GPU 性能提升，資料中心的電力消耗正急劇增加。為因應此挑戰，業界正轉向旨在降低傳輸損耗的 HVDC 架構。在此類大電力、高電壓環境下，為在停電或瞬間壓降時保護系統及龐大資料，伺服器機櫃級別的 BBU 及 CU（電容單元）的角色日益重要。
此次採用的產品為 750V 耐壓的 SiC MOSFET「SCT4013DLL」，搭載於 AI 伺服器 ±400V 電源架構部分。該產品充分利用 SiC 的特性，具備最高接點溫度 (Tj) 175°C 的耐熱性，即使在因電壓升高、功率密度提升而導致發熱量增加的 BBU 中，亦能實現穩定運作。
此外，在次世代 800VDC 電源架構中，提供給 BBU 內部電池組的電源電壓約為 560V，因此同樣可使用 750V 耐壓型的 ROHM SiC MOSFET。
次世代 AI 伺服器 HVDC 電源需要一個能在發生異常時瞬間且以低損耗控制高壓大電流的備用系統。面對此種嚴苛要求，結合高耐壓、低損耗、耐高溫特性的 SiC 功率元件，被視為擔負電力控制核心的關鍵裝置。
ROHM 未來將繼續著眼於 AI 伺服器及資料中心市場的成長，強化 SiC、GaN 及矽功率元件的開發與供應。此外，將透過整合類比 IC 等解決方案，致力於提升電力效率並實現可持續發展的社會。
常見問題
今回採用されたロームの製品は何ですか？
750V耐圧のSiC MOSFET「SCT4013DLL」です。
なぜAIサーバーのBBUにSiC MOSFETが必要なのですか？
生成AIの普及による電力需要の増大に対応するため、高電圧なHVDCアーキテクチャへの移行が進んでおり、高耐圧・低損失・高温耐性に優れたデバイスが求められているためです。
「SCT4013DLL」の特長は何ですか？
最大ジャンクション温度（Tj）175℃という高い温度耐性を備え、高電圧・高電力密度化するBBUでも安定した動作が可能です。
800VDC電力供給アーキテクチャにも対応していますか？
はい、バッテリーパックの電源電圧が約560Vであるため、同じく750V耐圧モデルのSCT4013DLLが使用可能です。
ロームのEcoSiC™ブランドとは何ですか？
SiC（シリコンカーバイド）素材を採用したパワーデバイスのブランドで、素材からパッケージングまでの一貫生産体制を構築しています。