高温時オン抵抗を約30%低減！第5世代SiC MOSFETを開発
ローム株式会社が第5世代SiC MOSFETを開発し、高温時のオン抵抗を約30%低減しました。これは半導体技術の重要な進歩であり、電力効率の向上に貢献します。
📋 記事の処理履歴
- 📰 発表: 2026年4月21日 09:00
- 🔍 収集: 2026年4月21日 09:31（発表から31分後）
- 🤖 AI分析完了: 2026年4月21日 18:07（収集から8時間35分後）
ローム株式会社(ROHM Co., Ltd.)の情報を配信します。半導体メーカー「ROHM」の社名は、創業当時の生産品目である抵抗器（Resistor）の頭文字「R」に抵抗値の単位Ω「ohm」を組み合わせたものです。 「R」信頼性（Reliability）にも通じており、品質を第一とするロームのポリシーを表しています。
よくある質問
第5世代SiC MOSFETの最大の特長は何ですか？
高温時におけるオン抵抗を約30%低減したことです。これにより、電力損失が大幅に削減され、機器の効率向上と小型化に貢献します。
この新技術はどのような分野で活用されますか？
主に電気自動車（EV）のインバーターや充電器、産業機器の電源、データセンターのサーバー電源など、高効率が求められる分野での活用が期待されます。
ロームがSiC技術に注力する理由は何ですか？
SiCはシリコンに比べて高温・高電圧での動作が可能で、電力損失が少ないため、省エネルギー化と環境負荷低減に貢献する次世代パワー半導体として注目されているからです。