Nuvoton Japan 擴充先進半導體封裝無光罩曝光用光源產品陣容

Nuvoton Technology（以下簡稱本公司）將開始量產在直徑 9.0mm 的 CAN 封裝（TO-9）[1]中，實現業界最高等級(*1)光輸出功率的「高功率 4.5W 紫光（402nm）半導體雷射[2]」。本產品透過本公司獨有的元件結構及散熱設計技術，達成了相較於傳統產品(*2) 1.5倍的光輸出功率，有助於提升無光罩曝光設備[3]等光學設備的生產效率（Throughput）。此外，隨著本產品加入陣容，本公司的產品群將能對應先進半導體封裝[4]中所使用的多種主要感光材料[5]。

(*1) 截至2026年4月15日，根據本公司調查。條件為波長402nm連續發波（CW）、外殼溫度（Tc）25℃的TO-9 CAN封裝半導體雷射
(*2) 本公司傳統產品 KLC432FL01WW（402nm, 3.0W, TO-9 CAN封裝）

【本產品帶來的效益】
1. 在紫光（402nm）波段實現本公司傳統產品1.5倍的4.5W高輸出功率，有助於提升無光罩曝光設備等光學設備的生產效率。
2. 擴充先進半導體封裝用無光罩曝光光源的產品陣容，對應多種主要感光材料。
3. 擴充水銀燈替代方案[6]的產品陣容，在光源選擇上提供新的選項。

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【本公司新產品特色】
1. 在紫光（402nm）波段實現本公司傳統產品1.5倍的4.5W高輸出功率，有助於提升無光罩曝光設備等光學設備的生產效率

紫光（402nm）半導體雷射由於光電轉換效率[7]相對較低且自我發熱較大，加上短波長光容易導致元件老化，因此難以在高功率範圍內穩定運作。為此，本公司將於2026年1月發表的新產品「高功率 1.0W 紫外光（379nm）半導體雷射[8]」中所導入的「提升光電轉換效率的元件結構」與「有效散熱的高散熱封裝技術」，延伸應用至紫光（402nm）波段。特別是，透過採用獨家保護膜技術來抑制雷射端面的老化因素，不僅提升了高功率運作時的壽命表現，更在封裝上採用使用高散熱材料的一體成型結構，進而提升散熱性。結果，本公司成功開發出兼具「高功率」（光輸出為傳統產品的1.5倍）與「高可靠度」的「高功率 4.5W 紫光（402nm）半導體雷射」。透過本產品，將有助於在要求高品質的工業用途光學設備中提升生產效率。

圖1：「提升光電轉換效率的元件結構」與「有效散熱的高散熱封裝技術」

2. 擴充先進半導體封裝用無光罩曝光光源的產品陣容，對應多種主要感光材料

本產品在以AI（人工智慧）等需求擴大為背景而快速成長的先進半導體封裝領域的無光罩曝光技術中，發揮極大價值。在先進半導體封裝的電路形成過程中，根據設計數據直接描繪電路的無光罩曝光技術，不僅能降低成本和縮短開發時間，還能根據基板的翹曲和變形進行高精度的描繪補償，因此近年來備受關注。作為這項無光罩曝光技術主要光源之一的半導體雷射，為了對應主要的感光材料，除了被要求對應接近水銀燈發射光譜的 i 線（365nm）及 h 線（405nm）波長外，還被要求提高輸出功率以提升設備的生產效率。本次，本公司除了2026年1月發表對應 i 線的「高功率 1.0W 紫外光（379nm）半導體雷射」之外，再將本產品作為對應 h 線的先進半導體封裝無光罩曝光用光源加入陣容。藉此，本公司將能提供一致性的光源，不僅能對應多種主要感光材料，也能為提升設備生產效率做出貢獻。

表1：先進半導體封裝無光罩曝光中的主要感光材料與本公司提案產品

3. 擴充水銀燈替代方案的產品陣容，在光源選擇上提供新的選項

本產品將全新加入本公司推廣的「使用半導體雷射的水銀燈替代方案」陣容。水銀燈的發射光譜 h 線（405nm）被廣泛應用於光固化...