羅姆提前兩年達成綠色創新基金事業的技術目標

　在NEDO實施的綠色創新基金事業「次世代數位基礎設施建設」專案（「次世代功率半導體器件製造技術開發（補助事業）」）（以下簡稱本事業）中，羅姆株式會社所致力於的「8英寸次世代SiC MOSFET的開發」已比原計劃提前兩年達成技術目標。

　羅姆確立了對應8英寸SiC晶圓的磊晶生長技術和低導通電阻化技術，並整合這些要素技術，構築了8英寸SiC器件製造線。結果，達成了本事業的技術目標：「電力轉換器等電力損耗降低50%以上」和「低成本化」。

　在本事業的框架下，NEDO和羅姆為實現早期社會實施，準確掌握了全球功率半導體市場動向，並從研發階段就著眼於社會實施推進本事業。

　特別是對於SiC功率半導體，預計未來全球需求將擴大，因此強烈認識到需要著眼於市場，早期確立具有競爭力的技術，並提前推進研發，這促成了技術目標的早期達成。

1. 背景

　NEDO作為綠色創新基金事業的一部分，正在推進「次世代數位基礎設施建設」專案，旨在實現次世代綠色功率半導體和次世代綠色數據中心等。

　本專案針對電動車（xEV※1）、再生能源、伺服器電源等，為實現碳中和而需要創新節能的領域，旨在提高次世代功率半導體（SiC、GaN）的性能和效率，將轉換器等電力損耗降低50%以上，實現與Si功率半導體同等的低成本化，並進一步促進早期普及。

　羅姆自2022年4月起，在本專案的核心主題之一「次世代功率半導體器件製造技術開發」中，以「8英寸次世代SiC※2 MOSFET※3的開發」為主題啟動了本事業※4，並已比原計劃提前兩年達成技術目標。本事業將於2025年度結束，旨在更早實現社會實施。

2. 本次成果

（1）8英寸SiC器件製造線的構築

　在本事業中，羅姆在SiC（相較於Si需要高溫製程且製造難度高）方面，透過8英寸化的大口徑化和製程優化實現了低成本化。同時，確立了對應8英寸化的磊晶生長※5技術和低導通電阻化技術。此外，透過克服8英寸化帶來的各種技術課題和SiC特有的高難度製程，並整合這些要素技術，在羅姆半導體製造筑後工廠的專用廠房內構築了8英寸SiC器件製造線（以下簡稱本線）。

（2）8英寸SiC器件的性能實證

　將本線製造的8英寸SiC MOSFET器件搭載到羅姆內部模組中，並根據逆變器實際使用條件進行了電力損耗的比較評估。結果證實，與傳統Si IGBT※6器件相比，電力轉換器的電力損耗可降低50%以上，實證了目標性能。

　為支持普及促進的穩定供應，我們持續致力於改善8英寸SiC製造製程整體課題，確保社會實施所需的穩定性和可靠性。透過這些努力，羅姆已確立了8英寸SiC功率半導體的生產基礎，並完善了供應體系。我們將繼續加強供應體系以應對需求擴大。

3. 未來計畫

　羅姆今後將著眼於全球功率半導體需求的擴大，以8英寸SiC技術為基礎，持續進行進一步降低成本和電力損耗的研發。

　NEDO將加速社會實施，以實現2050年碳中和，並透過普及次世代綠色功率半導體，為溫室氣體排放削減做出貢獻。

【註釋】

※1 xEV

這是電動化汽車的統稱，包括純電動汽車（BEV）、混合動力電動汽車（HEV）、插電式混合動力（電動）汽車（PHEV／PHV）和（氫）燃料電池汽車（FCEV／FCV）。

※2 SiC

Silicon Carbide（碳化矽：碳（C）和矽（Si）的化合物）。

※3 MOSFET

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（絕緣閘極場效電晶體）。

※4 本事業

事業名稱：綠色創新基金事業／次世代數位基礎設施建設／次世代功率半導體器件製造技術開發／8英寸次世代SiC MOSFET的開發

事業期間：2022年度～2025年度

事業概要：綠色創新基金事業／次世代數位基礎設施建設」專案

NEDO綠色創新基金事業 特設網站 https://green-innovation.nedo.go.jp/

次世代數位基礎設施建設

https://green-innovation.nedo.go.jp/project/building-next-generation-digital-infrastructure/

羅姆新聞稿網站

https://www.rohm.co.jp/news-detail?news-title=2026-04-02_news&defaultGroupId=false

※5 磊晶生長

指在作為基板的晶體上生長新晶體的薄膜晶體生長。可以製造缺陷少的高品質半導體薄膜。

※6 IGBT

Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣閘極雙極性電晶體）。