TSMCが高価と指摘も、ASMLはHigh NA EUV製チップが数ヶ月内に登場と予測
半導体製造装置のトップメーカー、ASMLのCEOクリストフ・フーケ氏は19日、次世代リソグラフィ装置である高NA（開口数）EUV装置で製造された初の製品が数ヶ月以内に登場する見込みであると述べた。これは、主要顧客であるTSMCが4月に同装置を「高価すぎる」と指摘した後の発言。フーケ氏はベルギーのimec主催の会議で、新装置は最先端のロジックチップやメモリチップのパターニングコストを削減すると主張した。
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- 📰 発表: 2026年5月19日 22:27
- 🔍 収集: 2026年5月19日 22:31（発表から4分後）
- 🤖 AI分析完了: 2026年5月19日 22:56（収集から24分後）
（中央社アントワープ19日総合外電報導）世界トップの半導体製造装置メーカー、ASMLのCEOクリストフ・フーケ氏は本日、同社の次世代リソグラフィ装置である高NA（開口数）EUV装置を使用して製造された初の製品が数ヶ月以内に登場する見込みであると述べた。ロイター通信によると、ASMLの最大顧客であるTSMCは4月、高NA EUV露光装置は高価すぎると表明した。この装置は1台あたり最高で4億ドル（約126億6000万新台湾ドル）に達する。しかし、フーケ氏は本日、ベルギーのマイクロエレクトロニクス研究センター（imec）が主催した会議で、高NA EUV露光装置はロジックチップであれメモリチップであれ、最先端チップのパターニングコストを削減すると述べた。さらに、「今後数ヶ月以内に、メモリやロジックの応用にかかわらず、高NAシステムで露光（製造）された最初の少数の製品を目にすることになるだろう」と付け加えた。