應用材料發表埃米時代邏輯晶片專用之沉積設備
應用材料公司發表了Precision™ Selective Nitride PECVD與Trillium™ ALD兩款新型半導體製造設備。專為2奈米及更先進製程設計，可為GAA電晶體實現原子級精度的沉積，大幅提升AI運算的功耗效率與效能。
📋 文章處理履歷
- 📰 發表: 2026年4月9日 21:00
- 🔍 收集: 2026年4月9日 12:30
- 🤖 AI分析完成: 2026年4月20日 08:28（收集後259小時58分鐘）
- 為3D環繞式閘極（Gate-All-Around）電晶體打造原子級微結構的半導體製造設備
- Precision™ Selective Nitride PECVD在保持淺溝槽隔離完整性的同時降低寄生電容，大幅提升晶片功耗效率
- Trillium™ ALD以複雜的金屬閘極堆疊包覆矽奈米片，實現為廣泛AI運算應用最佳化的電晶體
- 多家大型晶圓代工廠/邏輯晶片製造商將新設備應用於2奈米及以下製程
在材料工程領域引領半導體產業的應用材料公司（Applied Materials, Inc., Nasdaq AMAT，總部位於美國加州聖塔克拉拉，總裁暨執行長Gary E. Dickerson）於當地時間4月8日發表了兩款半導體製造設備，用於打造全球最先進邏輯晶片的極細微結構。透過以原子級精度控制材料沉積，藉由量產速度更快、功耗效率更高的電晶體，來維持全球AI基礎設施的擴張步伐。
在AI運算需求激增的背景下，半導體產業正挑戰微縮極限，以從處理器晶片內搭載的數千億個電晶體中，萃取出更高的能源效率表現。為因應此挑戰，全球頂尖的邏輯晶片製造商正於2奈米及更先進節點導入新型的環繞式閘極（GAA）電晶體。雖然轉向GAA能在相同功耗下大幅提升效能，但實現此目標的製程複雜度卻急遽增加。為了形成GAA電晶體內部的複雜3D結構，需要超過500道工序，其中許多步驟需要在接近原子尺寸的嚴苛公差範圍內，具備前所未有的精度、重現性及控制力的沉積技術。
應用材料公司今日發表的兩款半導體製造設備，運用材料創新來形成GAA電晶體所使用的極複雜微細形狀。這些新技術實現了對先進晶片效能與功耗效率具有決定性影響的關鍵金屬與絕緣材料的沉積。
應用材料公司半導體產品事業群總裁Prabu Raja表示：「產業正迎來非線性劇變的時代，傳統依賴微影技術的晶片微縮已不再足夠。最先進的邏輯節點已達到埃米（Angstrom）等級，晶片的效能與功耗效率如今高度仰賴材料。應用材料公司憑藉自創立以來在材料工程領域的領先優勢，劃
- Precision™ Selective Nitride PECVD在保持淺溝槽隔離完整性的同時降低寄生電容，大幅提升晶片功耗效率
- Trillium™ ALD以複雜的金屬閘極堆疊包覆矽奈米片，實現為廣泛AI運算應用最佳化的電晶體
- 多家大型晶圓代工廠/邏輯晶片製造商將新設備應用於2奈米及以下製程
在材料工程領域引領半導體產業的應用材料公司（Applied Materials, Inc., Nasdaq AMAT，總部位於美國加州聖塔克拉拉，總裁暨執行長Gary E. Dickerson）於當地時間4月8日發表了兩款半導體製造設備，用於打造全球最先進邏輯晶片的極細微結構。透過以原子級精度控制材料沉積，藉由量產速度更快、功耗效率更高的電晶體，來維持全球AI基礎設施的擴張步伐。
在AI運算需求激增的背景下，半導體產業正挑戰微縮極限，以從處理器晶片內搭載的數千億個電晶體中，萃取出更高的能源效率表現。為因應此挑戰，全球頂尖的邏輯晶片製造商正於2奈米及更先進節點導入新型的環繞式閘極（GAA）電晶體。雖然轉向GAA能在相同功耗下大幅提升效能，但實現此目標的製程複雜度卻急遽增加。為了形成GAA電晶體內部的複雜3D結構，需要超過500道工序，其中許多步驟需要在接近原子尺寸的嚴苛公差範圍內，具備前所未有的精度、重現性及控制力的沉積技術。
應用材料公司今日發表的兩款半導體製造設備，運用材料創新來形成GAA電晶體所使用的極複雜微細形狀。這些新技術實現了對先進晶片效能與功耗效率具有決定性影響的關鍵金屬與絕緣材料的沉積。
應用材料公司半導體產品事業群總裁Prabu Raja表示：「產業正迎來非線性劇變的時代，傳統依賴微影技術的晶片微縮已不再足夠。最先進的邏輯節點已達到埃米（Angstrom）等級，晶片的效能與功耗效率如今高度仰賴材料。應用材料公司憑藉自創立以來在材料工程領域的領先優勢，劃