在天皇陛下親臨見證下，松波教授接受日本學士院獎（圖片提供：日本學士院）
京都先端科學大學（所在地：京都市右京區，校長：前田正史）長久原致動器研究所松波弘之特任教授（以下簡稱松波教授）榮獲「日本學士院獎」，並於7月13日出席在東京上野日本學士院舉行的授獎典禮，天皇陛下親臨現場。日本學士院獎是頒發給學術研究領域傑出成就的最高榮譽之一。本次獲獎的研究主題為「電力控制用碳化矽元件的開發與實用化研究」。松波教授自1968年起便專注於將碳化矽（碳化矽：SiC）作為半導體材料的研究。1975年，他率先在全球開發出以SiC為基礎的藍色發光二極體。1987年，他發明了「階梯控制磊晶法（SCE法）」，成功實現高品質SiC單晶的生長，進而開發出具有高耐壓、高耐熱特性，且能大幅降低運作時電力損耗的革命性SiC功率半導體。目前，SiC功率半導體已廣泛應用於發電廠、資料中心、電車及電動汽車等高耗電領域。
FACT BOX · 重點整理
- 來源：PR TIMES
- 分類：受賞
- 原文日期：1968年 / 1975年