TMH 透過投資 Patentix 建立戰略合作夥伴關係

TMH 株式会社（以下簡稱「TMH」，總公司：大分縣大分市，代表董事社長：榎並大輔）與 Patentix 株式会社（以下簡稱「Patentix」，總公司：滋賀縣草津市，代表董事社長：衣斐豊祐）特此宣布，雙方已透過 TMH 對 Patentix 的投資，建立旨在實現次世代功率半導體材料實用化的戰略合作夥伴關係。 隨著 AI 的快速發展和數據處理量的增加，半導體正逐漸轉變為社會基礎設施本身。同時，在以數據中心和移動領域為主的電力消耗增加成為課題的背景下，人們對能夠大幅提高電力效率的次世代功率半導體材料寄予厚望。 Patentix 正在推進研究開發的 r-GeO₂ 作為能夠應對這些課題的新材料而備受矚目。兩家公司將透過本次合作夥伴關係，推進發揮各自優勢的合作。

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合作夥伴關係的背景與目的

TMH 以實現「不停產製造」為宗旨，透過利用電子商務平台提供半導體製造設備、零件採購與維修服務，以及利用工程技術銷售半導體製造設備，一直以來都支持著半導體製造現場的穩定運作。 半導體產業中的「停產風險」不僅限於設備和零件等操作層面。電力效率和材料特性等更上游技術領域所引起的結構性課題，也是影響製造持續性的重要因素。TMH 認為，為了在中長期實現「不停產製造」，除了維持供應鏈之外，參與支持製造進步的尖端技術領域也至關重要。 在中長期願景「Vision1000（以銷售額 1000 億日圓為目標的計畫）」中，對尖端領域的投資和合作夥伴關係也被定位為業務成長的重要戰略之一，本次合作即是其具體實踐。 另一方面，Patentix 作為源自立命館大學的深度科技新創公司，一直以來都在推進次世代功率半導體材料 r-GeO₂ 的研究開發。為了加速 r-GeO₂ 的實用化，不僅材料研究，關於半導體製造製程和量產化的實踐知識也必不可少。Patentix 認為，與 TMH 所擁有的製造現場知識和供應鏈網絡的合作，將成為推動 r-GeO₂ 社會實踐的力量。 由於雙方對這些課題的認識和期望一致，因此促成了本次合作夥伴關係的建立。

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關於 Patentix 的技術

在功率半導體領域，作為取代矽（Si）的次世代材料，碳化矽（SiC）和氧化鎵（Ga₂O₃）等的研究和社會實踐的探討一直在進行。儘管 SiC 已實現 p 型和 n 型兩種導電方式，但在以 Ga₂O₃ 為首的具有更寬能帶間隙的材料群中，實現器件設計不可或缺的 p 型摻雜仍然是一個重大課題。 如果無法實現 p 型和 n 型兩種導電方式，不僅會限制電路設計的自由度，還會對電力轉換效率和設備小型化造成限制。 Patentix 正在推進研究開發的金紅石型二氧化鍺（r-GeO₂）是作為解決此課題的有力方案而備受矚目的新材料。其能帶間隙約為 4.68 eV，與 Ga₂O₃ 相當，具有超寬能帶間隙，同時理論上可實現 p 型和 n 型兩種導電方式。此外，據稱其熱導率和電子遷移率均優於 Ga₂O₃，在作為功率器件的綜合性能指標（Baliga 品質因數）方面，也顯示出超越現有材料的可能性。 Patentix 不僅成功利用獨特的薄膜生長技術「Phantom SVD 法」製備 r-GeO₂ 薄膜，更於 2024 年全球首次成功驗證了使用 r-GeO₂ 單晶薄膜的肖特基勢壘二極體（SBD）的運作，穩步累積了實現實用化的技術里程碑。

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兩家公司的角色與未來展望

透過本次合作夥伴關係，TMH 所擁有的半導體製造現場知識和供應鏈網絡將與 Patentix 的尖端材料技術結合，加速次世代功率半導體實用化的進程。 TMH 將利用其在半導體製造現場的零件採購、設備運作知識以及國內外供應鏈網絡，為 r-GeO₂ 的應用開發和量產化相關的實踐性課題整理做出貢獻。 Patentix 將利用其在 r-GeO₂ 材料技術和器件設計方面的專業知識，推進次世代功率半導體的技術開發和社會實踐。 兩家公司將共同推進次世代材料實用化的課題整理和應用開發，並為整個半導體供應鏈的升級做出貢獻。

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投資概要

Patentix 株式会社實施了總額 149,997,600 日圓的第三方配股增資，TMH 認購了其中一部分。本次投資旨在建立兩家公司之間的戰略合作夥伴關係。 兩家公司將透過本次投資強化合作，發揮各自優勢，推進次世代功率半導體材料實用化的工作。

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