TMH透過投資Patentix建立戰略合作夥伴關係

株式會社TMH（以下簡稱「TMH」，總部：大分縣大分市，代表取締役社長：榎並大輔）與Patentix株式會社（以下簡稱「Patentix」，總部：滋賀縣草津市，代表取締役社長：衣斐豊祐）宣布，透過TMH對Patentix的投資，雙方已就次世代功率半導體材料的實用化建立戰略合作夥伴關係。

隨著AI的快速發展與數據處理量的大幅增加，半導體正逐漸轉變為社會基礎設施本身。同時，以數據中心和移動領域為中心的電力消耗增加成為一項挑戰，人們對能大幅提升電力效率的次世代功率半導體材料的期望也日益高漲。

Patentix正在研發的r-GeO₂作為能應對這些挑戰的新材料備受矚目。雙方將透過此次合作，發揮各自優勢推動協同發展。

合作背景與目的
TMH以實現「不停止的製造」為目標，透過活用電商平台的半導體製造設備與零件採購、維修服務，以及運用工程技術銷售半導體製造設備，持續支持半導體製造現場的穩定運作。

半導體產業中的「停工風險」不僅限於設備或零件等營運領域。源於電力效率及材料特性等更上游技術領域的結構性問題，也是左右製造永續性的重要因素。TMH認為，為了在中長期內實現「不停止的製造」，除了維持供應鏈外，參與支撐製造進化的尖端技術領域也至關重要。

在中長期願景「Vision1000（以達成1000億日圓營收為目標的計畫）」中，對尖端領域的投資與合作被定位為促進事業成長的重要戰略之一，而本案正是該戰略的具體落實。

另一方面，Patentix作為源自立命館大學的深科技新創企業，一直致力於次世代功率半導體材料r-GeO₂的研發。為了加速r-GeO₂的實用化，不僅需要材料研究，對於半導體製造流程與量產化的實務知識也不可或缺。Patentix認為，與TMH所擁有的製造現場知識及供應鏈網路進行合作，將成為推動r-GeO₂落實於社會的力量。

正是基於雙方對這些課題的共識與期望的契合，促成了此次合作夥伴關係的建立。

關於Patentix的技術
在功率半導體領域，碳化矽（SiC）和氧化鎵（Ga₂O₃）等作為取代矽（Si）的次世代材料，其研究與社會應用探討正不斷推進。雖然SiC已實現p型和n型雙向導電，但對於包含Ga₂O₃在內具有更寬能隙的材料群而言，實現元件設計所不可或缺的p型摻雜依然是一個重大挑戰。

若無法實現p型與n型雙向導電，不僅會限制電路設計的自由度，也會對電力轉換效率及設備的小型化造成制約。

Patentix正在研發的金紅石型二氧化鍺（r-GeO₂）作為解決此課題的有力方案，是備受關注的新材料。其能隙約為4.68 eV，擁有媲美Ga₂O₃的超寬能隙，且在理論上可實現p型與n型的雙向導電。此外，據稱其擁有超越Ga₂O₃的熱傳導率與電子移動率，在功率半導體領域極具潛力。