意法半導體發佈針對運動控制與電源轉換、具備智慧保護功能的高速切換GaN驅動器
意法半導體推出兩款針對GaN HEMT的新型高速半橋閘極驅動器 STDRIVEG212 與 STDRIVEG612，整合了智慧保護功能與LDO，適用於電源與運動控制。
📋 文章處理履歷
- 📰 發表: 2026年4月7日 02:00
- 🔍 收集: 2026年4月6日 17:30
- 🤖 AI分析完成: 2026年4月21日 00:16（收集後342小時46分鐘）
意法半導體（NYSE：STM，以下簡稱ST）宣佈推出兩款新型高速半橋閘極驅動器，可在廣泛的電源與運動控制應用中，實現GaN（氮化鎵）的卓越效率、散熱性能與微型化。
「STDRIVEG212」和「STDRIVEG612」分別可在高達220V和600V的高側電壓下運行，並為增強型GaN HEMT提供嚴格控制的5V閘極驅動訊號。兩款產品均將高側/低側5V線性穩壓器（LDO）、高側自舉二極體以及欠壓鎖定（UVLO）等保護功能整合於緊湊的QFN封裝中。
透過整合快速啟動的電壓穩壓器，可穩定驅動器的輸出電壓，實現精確的閘極控制。此外，還內建了比較器，在檢測到過電流時會關閉兩個GaN HEMT。智慧關斷（smartSD）功能會自動維持關閉狀態直到充分冷卻，並可從故障引腳獲取過電流、過熱和UVLO的報告。
兩款產品的特點在於能將GaN技術的優勢最大化，特別是在運動控制等硬切換應用中。高側與低側之間的傳播延遲時間被嚴格匹配在僅50ns以內，並能承受5µs的高側啟動時間和±200V/ns的dV/dt瞬態電壓，從而允許提高旋轉速度。
內建的LDO具有大電流容量，並為灌電流（sink）和拉電流（source）側提供獨立的路徑（灌電流側最高1.8A / 1.2Ω，拉電流側0.8A / 4.0Ω）。這種閘極驅動器的輸出架構允許電路設計人員分別設定導通和關斷時的阻抗，從而優化各自的dV/dt和dI/dt。這消除了對關斷二極體的需求。因此，可以減少元件數量、降低閘極迴路電感、透過增加裕度來加快關斷速度，並防止不必要的感應導通。
兩款產品均配備可承受高達20V的邏輯輸入引腳，以及可抑制停止期間功耗的專用關斷引腳，從而簡化了系統設計與整合。此外，兼容這兩款產品的評估板「
「STDRIVEG212」和「STDRIVEG612」分別可在高達220V和600V的高側電壓下運行，並為增強型GaN HEMT提供嚴格控制的5V閘極驅動訊號。兩款產品均將高側/低側5V線性穩壓器（LDO）、高側自舉二極體以及欠壓鎖定（UVLO）等保護功能整合於緊湊的QFN封裝中。
透過整合快速啟動的電壓穩壓器，可穩定驅動器的輸出電壓，實現精確的閘極控制。此外，還內建了比較器，在檢測到過電流時會關閉兩個GaN HEMT。智慧關斷（smartSD）功能會自動維持關閉狀態直到充分冷卻，並可從故障引腳獲取過電流、過熱和UVLO的報告。
兩款產品的特點在於能將GaN技術的優勢最大化，特別是在運動控制等硬切換應用中。高側與低側之間的傳播延遲時間被嚴格匹配在僅50ns以內，並能承受5µs的高側啟動時間和±200V/ns的dV/dt瞬態電壓，從而允許提高旋轉速度。
內建的LDO具有大電流容量，並為灌電流（sink）和拉電流（source）側提供獨立的路徑（灌電流側最高1.8A / 1.2Ω，拉電流側0.8A / 4.0Ω）。這種閘極驅動器的輸出架構允許電路設計人員分別設定導通和關斷時的阻抗，從而優化各自的dV/dt和dI/dt。這消除了對關斷二極體的需求。因此，可以減少元件數量、降低閘極迴路電感、透過增加裕度來加快關斷速度，並防止不必要的感應導通。
兩款產品均配備可承受高達20V的邏輯輸入引腳，以及可抑制停止期間功耗的專用關斷引腳，從而簡化了系統設計與整合。此外，兼容這兩款產品的評估板「