意法半導體推出低電阻功率 MOSFET，降低供電應用的功耗與基板面積

意法半導體（STMicroelectronics，紐約證券交易所代碼：STM，簡稱 ST）推出了採用全新「Smart STripFET F8」技術優化的低導通電阻（RDS(on)）功率 MOSFET 系列，該系列實現了優化的傳導損耗和小型晶片尺寸。這些產品非常適合車載設備配電、電池管理等對空間有嚴格要求的應用。

作為該新系列的系列首款產品，「STL059N4S8AG」是一款 40V / 420A N 溝道增強型 MOSFET，實現了 0.59mΩ 的導通電阻，並採用 PowerFLAT 5 x 6 封裝。緊湊的封裝減少了電路板面積，簡化了小型控制模組的設計，同時憑藉其高導熱性和高效的功耗，符合嚴格的可靠性要求。此外，該產品的最高工作溫度已擴展至 175°C。該產品作為符合 AEC-Q101 標準的車規級產品提供，並採用了支援車載設備組裝流程中自動光學檢測的「可潤濕側翼」（Wettable Flank）封裝。

ST 的 Smart STripFET F8 技術在傳統 STripFET F8 的基礎上改進了其溝槽柵極，進一步強化了導通特性和尺寸效率。此次發佈的產品非常適合那些「最小化傳導損耗」是提高整體效率關鍵的應用。該產品特別適用於大電流配電，透過與可調整電路中斷的 STi²Fuse VIPower 柵極驅動器有效結合，可以保護 PCB 電路板、連接器和佈線。Smart STripFET F8 MOSFET 透過降低車載應用的功耗，使電池能更有效地向車載電氣系統供應更多能量，從而有助於延長續航里程。此外，在以監控、平衡和保護電池單元狀態為主要職責的電池管理系統（BMS）中，MOSFET 的低導通電阻提高了電池充放電期間的效率。

車規級 STL059N4S8AG 目前已投入量產。有關價格和樣品提供的詳情，請諮詢 ST 的銷售辦事處或代理商。額定電流 350A、導通電阻 0.75mΩ 的「STL075N4S8AG」以及額定電流 780A、導通電阻 0.35mΩ 的「STK035N4S8AG」預計將在未來發佈。

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關於意法半導體 (STMicroelectronics)
ST 是一家全球綜合半導體製造商，擁有約 48,000 名員工，具備完善的供應鏈和先進的製造設施。ST 與超過 20 萬家客戶及數千家合作夥伴協作，致力於開發半導體解決方案並構建生態系統，以支持客戶的業務創造和可持續社會的發展。ST 的技術支援智慧出行、電力能源管理效率化以及雲端連接型自主設備的普及。ST 正致力於在所有直接和間接排放（範圍 1 和 2）以及產品運輸、員工出差和通勤產生的排放（範圍 3 的重點領域）中實現碳中和，並計劃到 2027 年底將再生能源使用率提高到 100%。更多資訊請訪問 ST 官方網站 http://www.st.com。