STマイクロエレクトロニクス、AIサーバからロボティクスまで、幅広い高性能アプリケーションの電力効率向上に貢献する新しいGaN製品を発表
STマイクロエレクトロニクスは、AIサーバやロボティクス等の高性能アプリケーション向けに、電力効率と密度を向上させる700V PowerGaN（窒化ガリウム）パワー半導体シリーズを発表しました。従来のシリコン技術を上回るスイッチング性能と小型化を実現し、産業用電源やスマートグリッド等の電力変換効率を改善します。既に量産を開始しており、1000個購入時の単価は0.63ドルから提供されます。
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- 📰 発表: 2026年6月2日 02:00
- 🔍 収集: 2026年6月1日 17:20
- 🤖 AI分析完了: 2026年6月1日 17:42（収集から22分後）
STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、電動化を支える高性能アプリケーションにおいて、効率と電力密度の向上を実現する新しいGaN（窒化ガリウム）ベースのパワー半導体を発表しました。STPOWERポートフォリオの700V PowerGaN製品は、AIサーバの消費電力の増大や、従来のシリコン技術の限界を超える、より高性能な電力変換へのニーズといった課題に対応します。
STの新しいPowerGaN製品は、高電圧電源の高効率化と高電力密度化を実現します。定格電圧700Vでの動作を想定して設計されており、信頼性に優れた大電力動作と、より高周波の回路構成に対応します。低い導通損失や高周波動作時における極めて低いスイッチング損失、逆回復電荷ゼロといったPowerGaN固有の特徴により、システムの小型･軽量化と動作温度の低減が可能になります。これらの特性は、ロボティクス、産業用電源、および発電･送配電･蓄電用スマートグリッド･コンバータで使用されるパワー半導体において特に重要です。
STのパワー & ディスクリート･サブグループ担当エグゼクティブ･バイスプレジデントであるMario Aleoは、次のようにコメントしています。「新しい700V製品をPowerGaNポートフォリオに追加することにより、窒化ガリウム技術のメリットを中･高電力アプリケーションへと広げることができます。STは今後も、さらなる電圧定格や機能の追加により、未来のAIサーバやヒューマノイド･ロボティクス、産業用電源、そして家電製品を含む先進的なコンスーマ向け電源アプリケーションに向けて、GaN製品ポートフォリオの強化を進めていきます。」
技術情報
STの700V PowerGaNシリーズに新たに加わった7品種のGaN HEMTは、6A ~ 29Aの幅広い連続電流定格と、53mΩ ~ 270mΩの標準オン抵抗（RDS(on)）に対応しています。また、GaNワイド･バンドギャップ技術に固有の極めて低い内部静電容量と低いゲート電荷も特徴としており、いずれの品種もQg × RDS(on)の性能指数（FoM）において従来のシリコン製品を大幅に上回ります。
STの信頼性基準に準拠した新しい700V PowerGaNトランジスタは、選択肢を広げるとともに、最先端の性能と効率を実現します。MOSFETの代替として電力変換回路に直接置き換えることができ、より高い周波数の新たな回路構成も可能にします。高いスイッチング周波数で動作できるため、磁性部品や受動部品の小型化が可能になり、よりコンパクトなパワー段と高い電力密度を実現できます。
同製品は、主要なEDA（電子設計自動化）ライブラリやツールチェーンで広くサポートされ、実績のある表面実装型パッケージ（DPAK、TO-LL、PowerFLAT）で提供されます。TO-LLおよびPowerFLATパッケージの製品は、ゲート制御回路を主電力経路から分離するケルビン･ソース端子を備えているため、ノイズ耐性が極めて大きく、ゲート･ドライバを保護し、タイミング･マージンを確保します。今回発表された製品は以下のとおりです。
SGT350R70GTK（6A、270mΩ*）：はんだ付け可能な端子を備えた3ピンのDPAKパッケージ（6.10 x 6.60mm）で提供
SGT070R70HTO（26A、53mΩ*）：熱効率に優れたドレイン / ソース接続端子を備えたリードレスTO-LLパッケージで提供
SGT080R70ILB（29A、60mΩ*）、SGT105R70ILB（21.7A、80mΩ*）、SGT140R70ILB（17A、106mΩ*）、SGT190R70ILB（11.5A、138mΩ*）、SGT240R70ILB（10A、165mΩ*）：いずれも、放熱性能を高めるはんだ付け可能なソース･パッドを備えたPowerFLAT 8x8パッケージで提供
(*) 標準オン抵抗（RDS(on)）
新しい700V PowerGaNトランジスタは現在量産中で、STのeStoreまたは販売代理店から入手可能です。1000個購入時の単価は、約0.63ドルから約2.25ドルです。
詳細については、ウェブサイトをご覧ください。
STマイクロエレクトロニクスについて
STは、約49,000名の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な総合半導体メーカーです。約20万社を超えるお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、クラウド接続型自律デバイスの普及を可能にします。STは、すべての直接・間接排出（スコープ1および2）、ならびに製品輸送、従業員の出張･通勤による排出（スコープ3の注力分野）におけるカーボンニュートラル達成に向けた取り組みを進めており、2027年末までに再生可能エネルギーの使用率を100％にする計画です。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（http://www.st.com）をご覧ください。
STの新しいPowerGaN製品は、高電圧電源の高効率化と高電力密度化を実現します。定格電圧700Vでの動作を想定して設計されており、信頼性に優れた大電力動作と、より高周波の回路構成に対応します。低い導通損失や高周波動作時における極めて低いスイッチング損失、逆回復電荷ゼロといったPowerGaN固有の特徴により、システムの小型･軽量化と動作温度の低減が可能になります。これらの特性は、ロボティクス、産業用電源、および発電･送配電･蓄電用スマートグリッド･コンバータで使用されるパワー半導体において特に重要です。
STのパワー & ディスクリート･サブグループ担当エグゼクティブ･バイスプレジデントであるMario Aleoは、次のようにコメントしています。「新しい700V製品をPowerGaNポートフォリオに追加することにより、窒化ガリウム技術のメリットを中･高電力アプリケーションへと広げることができます。STは今後も、さらなる電圧定格や機能の追加により、未来のAIサーバやヒューマノイド･ロボティクス、産業用電源、そして家電製品を含む先進的なコンスーマ向け電源アプリケーションに向けて、GaN製品ポートフォリオの強化を進めていきます。」
技術情報
STの700V PowerGaNシリーズに新たに加わった7品種のGaN HEMTは、6A ~ 29Aの幅広い連続電流定格と、53mΩ ~ 270mΩの標準オン抵抗（RDS(on)）に対応しています。また、GaNワイド･バンドギャップ技術に固有の極めて低い内部静電容量と低いゲート電荷も特徴としており、いずれの品種もQg × RDS(on)の性能指数（FoM）において従来のシリコン製品を大幅に上回ります。
STの信頼性基準に準拠した新しい700V PowerGaNトランジスタは、選択肢を広げるとともに、最先端の性能と効率を実現します。MOSFETの代替として電力変換回路に直接置き換えることができ、より高い周波数の新たな回路構成も可能にします。高いスイッチング周波数で動作できるため、磁性部品や受動部品の小型化が可能になり、よりコンパクトなパワー段と高い電力密度を実現できます。
同製品は、主要なEDA（電子設計自動化）ライブラリやツールチェーンで広くサポートされ、実績のある表面実装型パッケージ（DPAK、TO-LL、PowerFLAT）で提供されます。TO-LLおよびPowerFLATパッケージの製品は、ゲート制御回路を主電力経路から分離するケルビン･ソース端子を備えているため、ノイズ耐性が極めて大きく、ゲート･ドライバを保護し、タイミング･マージンを確保します。今回発表された製品は以下のとおりです。
SGT350R70GTK（6A、270mΩ*）：はんだ付け可能な端子を備えた3ピンのDPAKパッケージ（6.10 x 6.60mm）で提供
SGT070R70HTO（26A、53mΩ*）：熱効率に優れたドレイン / ソース接続端子を備えたリードレスTO-LLパッケージで提供
SGT080R70ILB（29A、60mΩ*）、SGT105R70ILB（21.7A、80mΩ*）、SGT140R70ILB（17A、106mΩ*）、SGT190R70ILB（11.5A、138mΩ*）、SGT240R70ILB（10A、165mΩ*）：いずれも、放熱性能を高めるはんだ付け可能なソース･パッドを備えたPowerFLAT 8x8パッケージで提供
(*) 標準オン抵抗（RDS(on)）
新しい700V PowerGaNトランジスタは現在量産中で、STのeStoreまたは販売代理店から入手可能です。1000個購入時の単価は、約0.63ドルから約2.25ドルです。
詳細については、ウェブサイトをご覧ください。
STマイクロエレクトロニクスについて
STは、約49,000名の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な総合半導体メーカーです。約20万社を超えるお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、クラウド接続型自律デバイスの普及を可能にします。STは、すべての直接・間接排出（スコープ1および2）、ならびに製品輸送、従業員の出張･通勤による排出（スコープ3の注力分野）におけるカーボンニュートラル達成に向けた取り組みを進めており、2027年末までに再生可能エネルギーの使用率を100％にする計画です。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（http://www.st.com）をご覧ください。
よくある質問
STマイクロエレクトロニクスが発表した新製品の主な特徴は何ですか？
700Vの定格電圧に対応したGaN（窒化ガリウム）ベースのパワー半導体で、高い電力密度、低いスイッチング損失、逆回復電荷ゼロといった特性により、システムの小型・軽量化と高効率化を実現します。
この製品はどのような用途を想定していますか？
AIサーバ、ロボティクス、産業用電源、スマートグリッド、および家電製品を含む先進的なコンスーマ向け電源アプリケーションなど、高性能な電力変換が求められる分野を想定しています。
従来のシリコン技術と比較したメリットは何ですか？
低い導通損失や高周波動作時の極めて低いスイッチング損失により、磁性部品や受動部品の小型化が可能となり、よりコンパクトなパワー段と高い電力密度を実現できます。
製品のラインナップと価格はどのようになっていますか？
7品種のGaN HEMTが提供され、1000個購入時の単価は約0.63ドルから2.25ドルです。現在量産中で、STのeStoreや販売代理店から入手可能です。
パッケージングにはどのような工夫がありますか？
DPAK、TO-LL、PowerFLATなどの実績ある表面実装型パッケージを採用しており、特にTO-LLおよびPowerFLATはノイズ耐性を高めるケルビン・ソース端子を備えています。