高溫時導通電阻降低約30%！第五代SiC MOSFET開發成功
羅姆股份有限公司開發出第五代SiC MOSFET，在高溫時實現了約30%的導通電阻降低。這是半導體技術的一項重大進展，有助於提高電源效率。
📋 文章處理履歷
- 📰 發表: 2026年4月21日 09:00
- 🔍 收集: 2026年4月21日 09:31（發表後31分鐘）
- 🤖 AI分析完成: 2026年4月21日 18:07（收集後8小時35分鐘）
羅姆股份有限公司(ROHM Co., Ltd.)發布資訊。半導體製造商「ROHM」的公司名稱，是將創業初期生產的產品「電阻器（Resistor）」的首字母「R」，與電阻單位「ohm」組合而成。「R」也代表著可靠性（Reliability），象徵著羅姆將品質放在首位的經營方針。