ロームのSiC MOSFETが、HVDC化が進むAIサーバー向けBBUに採用

ローム株式会社（本社：京都市）の750V耐圧SiC MOSFETが、AIサーバー電源のBBU（バッテリーバックアップユニット）に採用されました。生成AIの普及を背景に、AIサーバー電源の高電圧化およびHVDC（高圧直流給電）アーキテクチャへの移行が加速する中、次世代電源システムを支えるSiCパワーデバイスとして選定されました。

生成AIの普及に伴いGPUの高性能化が進む中、データセンターの消費電力は急増しています。この課題に対し、送電ロスの低減を目的としたHVDCアーキテクチャへの移行が進んでいます。こうした大電力・高電圧環境では、停電や瞬停などの異常時にシステムおよび膨大なデータを保護するため、サーバーラック単位で電力を補償するBBUやCU（キャパシタユニット）の役割がますます重要になっています。

今回採用された製品は、750V耐圧のSiC MOSFET「SCT4013DLL」で、AIサーバー向け±400V電力供給アーキテクチャの電源部に搭載されています。本製品は、SiCの特性を活かし、最大ジャンクション温度（Tj）175℃という高い温度耐性を備えており、高電圧化・高電力密度化に伴い発熱量の増加するBBUにおいても安定した動作が可能です。

また、次世代800VDC電力供給アーキテクチャにおいては、BBU内のバッテリーパックに供給される電源電圧が560V程度であるため、同様に750V耐圧モデルのローム製SiC MOSFETを使用できます。

次世代AIサーバーのHVDC電源では、異常発生時に高電圧・大電流を瞬時かつ低損失で制御するバックアップシステムが求められます。このような厳しい要件に対し、高耐圧・低損失・高温耐性を兼ね備えたSiCパワーデバイスは、電力制御の中核を担うキーデバイスとして期待されています。

ロームは今後も、AIサーバーやデータセンター市場の成長を見据え、SiCやGaN、シリコンを用いたパワーデバイスの開発・供給を強化します。さらに、アナログIC等を組み合わせたソリューションの提案を通じて、電力効率の向上と持続可能な社会の実現に貢献します。