Resonac與電力中央研究所憑藉「功率半導體用高品質SiC磊晶晶圓高生產率製造技術」共同榮獲「市村產業獎」貢獻獎
株式會社Resonac與一般財團法人電力中央研究所共同開發的「功率半導體用高品質SiC磊晶晶圓(epi-wafer)高生產率製造技術」,榮獲公益財團法人市村清新技術財團主辦的第58屆市村產業獎「貢獻獎」。此技術實現了SiC磊晶晶圓的高品質與高生產率,有助於電動車和數據中心等領域的節能。
📋 文章處理履歷
- 📰 發表: 2026年5月7日 21:00
- 🔍 收集: 2026年5月7日 12:31
- 🤖 AI分析完成: 2026年5月7日 13:11(收集後39分鐘)
株式會社Resonac(代表取締役社長CEO:髙橋秀仁,以下簡稱Resonac)與一般財團法人電力中央研究所(理事長:平岩 芳朗,以下簡稱電力中央研究所)共同開發的「功率半導體用高品質SiC磊晶晶圓(epi-wafer)高生產率製造技術」,榮獲公益財團法人市村清新技術財團主辦的第58屆市村產業獎「貢獻獎」。
這項技術實現了SiC(碳化矽)磊晶晶圓的高品質與高生產率,SiC作為下一代功率半導體材料備受矚目。Resonac以與電力中央研究所的共同研究為基礎,透過與設備製造商的技術合作,以及採納設備製造商等客戶的評估和反饋,與各種合作夥伴共同創造,推進了開發。預計將有助於電動車(EV)、數據中心電源、鐵路、電力控制設備等領域的節能和高效率化。
■ 獲獎技術概要
在應對全球暖化、要求減少CO₂排放的同時,由於能源電氣化和AI擴張等因素,全球電力需求預計將增加。在此背景下,提高電力轉換效率的功率半導體的重要性日益增加,而SiC(碳化矽)功率半導體因其超越傳統矽(Si)物理極限的特性而受到關注。然而,其普及面臨SiC磊晶晶圓(在SiC基板上沉積SiC磊晶膜的晶圓)品質提升和成本降低的挑戰。
Resonac和電力中央研究所針對這一挑戰,開發了一種同時實現SiC磊晶膜高品質和高生產率的製造技術。傳統上,在成膜過程中,設備內部產生的副產物(沉積物)作為顆粒落到基板上,導致磊晶膜表面缺陷。本技術透過旨在提高品質的技術開發,實現了以下四點:
① 透過從根本上抑制此現象的設備設計,減少表面缺陷。
② 建立了顯著減少從基板傳播的內在缺陷——基底面轉位(BPD)的界面控制工藝技術。
③ 利用高精度檢測表面缺陷和基底面轉位的量產檢測技術,定量掌握量產中缺陷產生的原因,從而實現量產水平的穩定低缺陷化。
④ 透過高溫搬運和低熱容量化,縮短升降溫時間,提高生產率。
SiC磊晶晶圓 傳統技術與本技術的缺陷圖
■ 技術效果與未來展望
本技術提高了SiC功率元件的初始電氣特性良率和長期可靠性,有助於降低元件成本,並確保汽車和鐵路應用所需的高可靠性。這將促進SiC在功率元件領域的應用,為電動車(EV)帶來續航里程的提升(電費改善),並為數據中心電源設備、鐵路和再生能源併網帶來顯著的節能效果。
未來,除了這些領域,預計透過擴大應用於處理更大容量電力的電力控制設備等,將有助於電力基礎設施的升級和能源利用效率的提高。Resonac將繼續透過SiC相關技術的精進和穩定供應,為實現永續社會做出貢獻。
■ 關於市村產業獎
市村產業獎是由公益財團法人市村清新技術財團主辦的表彰制度,旨在表彰透過優秀國產技術的研究開發及其應用,為產業發展和解決社會問題做出貢獻的技術人員和研究人員。該獎項於1969年設立,表彰支持日本製造業的創新技術及其在社會實踐中的重大貢獻。
(市村產業獎官方網站) https://www.sgkz.or.jp/prize/industry/
以上
【關於Resonac】
Resonac是一家功能性化學製造商,業務涵蓋半導體・電子材料、移動出行、創新材料、化學品等,擁有從中游到下游廣泛的材料・尖端材料技術。該公司於2023年1月由昭和電工和前日立化成合併成立。公司名稱「Resonac」是英文「RESONATE:共鳴・響徹」與化學「Chemistry」中的「C」的組合。Resonac作為一家「共創型化學公司」,旨在透過共創實現永續增長和提升企業價值。2025財年的銷售額預計約為1.3兆日元,其中海外銷售額佔57%,在全球20多個國家和地區設有製造・銷售據點(截至2026年1月)。詳情請參閱網站。
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這項技術實現了SiC(碳化矽)磊晶晶圓的高品質與高生產率,SiC作為下一代功率半導體材料備受矚目。Resonac以與電力中央研究所的共同研究為基礎,透過與設備製造商的技術合作,以及採納設備製造商等客戶的評估和反饋,與各種合作夥伴共同創造,推進了開發。預計將有助於電動車(EV)、數據中心電源、鐵路、電力控制設備等領域的節能和高效率化。
■ 獲獎技術概要
在應對全球暖化、要求減少CO₂排放的同時,由於能源電氣化和AI擴張等因素,全球電力需求預計將增加。在此背景下,提高電力轉換效率的功率半導體的重要性日益增加,而SiC(碳化矽)功率半導體因其超越傳統矽(Si)物理極限的特性而受到關注。然而,其普及面臨SiC磊晶晶圓(在SiC基板上沉積SiC磊晶膜的晶圓)品質提升和成本降低的挑戰。
Resonac和電力中央研究所針對這一挑戰,開發了一種同時實現SiC磊晶膜高品質和高生產率的製造技術。傳統上,在成膜過程中,設備內部產生的副產物(沉積物)作為顆粒落到基板上,導致磊晶膜表面缺陷。本技術透過旨在提高品質的技術開發,實現了以下四點:
① 透過從根本上抑制此現象的設備設計,減少表面缺陷。
② 建立了顯著減少從基板傳播的內在缺陷——基底面轉位(BPD)的界面控制工藝技術。
③ 利用高精度檢測表面缺陷和基底面轉位的量產檢測技術,定量掌握量產中缺陷產生的原因,從而實現量產水平的穩定低缺陷化。
④ 透過高溫搬運和低熱容量化,縮短升降溫時間,提高生產率。
SiC磊晶晶圓 傳統技術與本技術的缺陷圖
■ 技術效果與未來展望
本技術提高了SiC功率元件的初始電氣特性良率和長期可靠性,有助於降低元件成本,並確保汽車和鐵路應用所需的高可靠性。這將促進SiC在功率元件領域的應用,為電動車(EV)帶來續航里程的提升(電費改善),並為數據中心電源設備、鐵路和再生能源併網帶來顯著的節能效果。
未來,除了這些領域,預計透過擴大應用於處理更大容量電力的電力控制設備等,將有助於電力基礎設施的升級和能源利用效率的提高。Resonac將繼續透過SiC相關技術的精進和穩定供應,為實現永續社會做出貢獻。
■ 關於市村產業獎
市村產業獎是由公益財團法人市村清新技術財團主辦的表彰制度,旨在表彰透過優秀國產技術的研究開發及其應用,為產業發展和解決社會問題做出貢獻的技術人員和研究人員。該獎項於1969年設立,表彰支持日本製造業的創新技術及其在社會實踐中的重大貢獻。
(市村產業獎官方網站) https://www.sgkz.or.jp/prize/industry/
以上
【關於Resonac】
Resonac是一家功能性化學製造商,業務涵蓋半導體・電子材料、移動出行、創新材料、化學品等,擁有從中游到下游廣泛的材料・尖端材料技術。該公司於2023年1月由昭和電工和前日立化成合併成立。公司名稱「Resonac」是英文「RESONATE:共鳴・響徹」與化學「Chemistry」中的「C」的組合。Resonac作為一家「共創型化學公司」,旨在透過共創實現永續增長和提升企業價值。2025財年的銷售額預計約為1.3兆日元,其中海外銷售額佔57%,在全球20多個國家和地區設有製造・銷售據點(截至2026年1月)。詳情請參閱網站。
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