透過離子注入受主雜質的وهل型二氧化锗薄膜中確認到p型蕭特基勢壘二極體特性
Patentix 在وهل型二氧化锗薄膜中確認到p型蕭特基勢壘二極體特性。 · 2026-03-31
Patentix株式会社 新聞稿
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。 · 2026-03-31
成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
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