立命館大学発スタートアップ Patentix、シリーズA1（シリーズAのエクステンション）で総額約 1億5,000万円 の資金調達を実施
立命館大学発の半導体スタートアップPatentixが、シリーズA1で約1億5,000万円の資金調達を実施。次世代パワー半導体材料「二酸化ゲルマニウム（GeO₂）」の研究開発を加速し、実用化開発フェーズ… · 2026-04-06
Patentix株式会社 ニュースリリース
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂を用いたMOSFETの動作実証に成功。 · 2026-03-31
アクセプタ不純物をイオン注入したルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜においてp型のショットキーバリアダイオード特性の発現を確認
Patentixがルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜でp型ショットキーバリアダイオード特性を確認。 · 2026-03-31
デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
<p><strong> 2026年3月31日</strong></p> <p>Patentix株式会社（以下「当社」）は、次世… · 2026-03-31