onsemi 推出業界首款簡化電源電子設計的 Elite Pairing Studio

onsemi（總部位於美國亞利桑那州斯科茨代爾，納斯達克代碼：ON）宣布推出業界首款線上設計工具「Elite Pairing Studio」。這款工具讓工程師能夠超越傳統的逐個元件選型方式，根據其特定需求，快速識別出 SiC（碳化矽）MOSFET 與閘極驅動器的最佳組合。這款互動式工具簡化了配對行為與權衡的評估，有助於加速電源電子設計的開發。它同時也是 onsemi 提供的系統級性能與效率分析綜合模擬工具套件的入口。

隨著電源電子系統日益複雜，開關元件與閘極驅動器的適當配對對於實現最佳效率、最小化損耗以及確保安全工作溫度至關重要。特別是在平衡相互衝突的需求時，初始元件選型階段的決策會直接影響系統級的結果。傳統上，此過程需要耗時的手動評估與模擬，包括大量的資料表比較、試算表分析以及實際樣品驗證。

onsemi 的 Elite Pairing Studio 透過提供一個逐步流程，協助工程師根據系統需求，識別 onsemi 閘極驅動器與 SiC MOSFET 的理想組合，從而簡化了這項挑戰。它可以快速比較匹配良好的配對，從開發過程的早期階段就減少迭代次數，並實現電源架構的最佳化。這有助於降低設計風險並縮短上市時間，確保系統在實際環境中達到預期的性能。

基於雲端的環境為工程師提供了 onsemi.com 上安全且專屬的工作空間，他們可以透過直觀的工作流程，根據輸入條件探索元件組合。該工具採用透明的方法論，並以業界公認的公式和基於實際環境的性能計算為基礎。評估邏輯清晰，可供使用者驗證。

透過 Elite Pairing Studio，工程師可以檢視每個配對的關鍵性能指標，包括開關時序、閘極電壓與電流（V/I）波形、相對於元件額定值的電壓過衝餘裕，以及開關能量損耗（如開啟與關閉能量）。這些洞察使工程師能夠根據其應用比較配對的權衡取捨，並在設計初期了解影響電磁干擾（EMI）特性與可靠性裕度的因素。結果會透過互動式波形檢視器呈現，讓工程師在進入完整系統級模擬之前，能夠做出更精確的配對決策。

此外，onsemi 計劃未來將更多技術陸續加入 Elite Pairing Studio。

onsemi 的 Elite Pairing Studio 提供根據應用需求最佳匹配的 SiC MOSFET 與閘極驅動器配對，使工程師能夠在更早的階段，基於對開關行為與權衡的更清晰理解，做出設計決策。

這些配對的相關知識可以作為 Elite Pairing Studio 生成的 PLECS 系統級模擬模型延續下去，並在 onsemi Elite Power Simulator 中進行效率、熱特性與損耗性能的最佳化微調。這種無縫的開發路徑使設計人員能夠將初始的配對洞察，轉化為 AI 資料中心、電動車、工業系統和電氣化基礎設施等先進應用中的系統級效率與性能提升。

onsemi Elite Pairing Studio 目前已可在 onsemi 網站上使用。此外，計劃在德國紐倫堡舉辦的「PCIM Expo 2026」中，於 onsemi 展位（Hall 9-332）進行展示。