羅姆提前兩年達成綠色創新基金項目的技術目標

　NEDO執行的綠色創新基金事業「下一代數位基礎設施建構」項目（「下一代功率半導體器件製造技術開發（補助事業）」）（以下簡稱「本事業」）中，羅姆株式會社負責的「8吋下一代SiC MOSFET開發」項目，其技術目標比原計畫提前兩年達成。

　羅姆確立了適用於8吋SiC晶圓的外延生長技術及低導通電阻技術，並整合這些關鍵技術建構了8吋SiC器件生產線。結果，達成了本事業的技術目標，即「在電力轉換器等應用中，電力損失降低50%以上」及「降低成本」。

　在本事業的框架下，為了早期實現社會實裝，NEDO與羅姆準確把握了功率半導體相關的全球市場動向，從研發階段就著眼於社會實裝，積極推動本事業。

　特別是對於SiC功率半導體，預計今後全球需求將持續擴大。我們強烈意識到，必須著眼於市場，儘早確立具有競爭力的技術，因此我們將研發提前推進，這也促成了技術目標的早期達成。

1．背景

　NEDO 作為綠色創新基金事業的一環，正在推動旨在實現下一代綠色功率半導體和下一代綠色數據中心等的「下一代數位基礎設施建構」項目。

　本項目針對電動車（xEV※1）、再生能源、伺服器電源等，在實現碳中和的過程中需要創新節能的領域，旨在提高下一代功率半導體（SiC、GaN）的性能和效率，實現轉換器等電力損失50%以上的降低，以及達到與Si功率半導體同等的低成本化，進一步促進早期普及。

　羅姆自2022年4月起，在本項目核心主題之一「下一代功率半導體器件製造技術開發」中，以「8吋下一代SiC※2 MOSFET※3開發」為主題啟動了本事業※4，此次比原計畫提前兩年達成了技術目標。本事業將於2025年度結束，並致力於更早期的社會實裝。

2．本次成果

（1）8吋SiC器件生產線的建構

　在本事業中，羅姆針對被認為需要高溫製程且製造難度較Si高的SiC，透過8吋化的大口徑化及製程優化，實現了低成本化。同時，確立了適用於8吋化的外延生長※5技術和低導通電阻技術。此外，克服了8吋化帶來的各種技術課題及SiC特有的高難度製程，並整合這些關鍵技術，在羅姆・器件製造筑後工廠的專用廠房建構了8吋SiC器件生產線（以下簡稱「本生產線」）。

（2）8吋SiC器件性能的實證

　將本生產線製造的8吋SiC MOSFET器件搭載至羅姆內部生產的模組中，在預期的逆變器實際使用條件下進行了電力損失的比較評估。結果確認，與傳統Si IGBT※6器件相比，可將電力轉換器的電力損失降低50%以上，並實證了目標性能。

　為了支持普及推廣的穩定供應，我們持續致力於改善8吋SiC製造全體製程的課題，並確保社會實裝所需的穩定性與可靠性。透過這些努力，羅姆已確立了8吋SiC功率半導體的生產基礎，並整備了供應體系。我們將持續強化能應對需求擴大的供應體系。

3．未來計畫

　羅姆今後將著眼於全球功率半導體需求的擴大，持續進行以8吋SiC技術為基礎，進一步降低成本與電力損失的研究開發。

　NEDO 為了實現2050年碳中和的目標，將加速社會實裝，透過普及下一代綠色功率半導體的應用，為減少溫室氣體排放做出貢獻。

【注釋】

※1　xEV

總稱電動化汽車，包括電池電動車（BEV）、混合動力電動車（HEV）、插電式混合動力車（PHEV／PHV）以及（氫燃料）電池電動車（FCEV／FCV）。

※2　SiC

矽碳化合物（Silicon Carbide），即碳（C）和矽（Si）的化合物。

※3　MOSFET

金屬氧化物半導體場效電晶體（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），即絕緣柵場效電晶體。

※4　本事業

事業名稱：綠色創新基金事業／下一代數位基礎設施建構／下一代功率半導體器件製造技術開發／8吋下一代SiC MOSFET開發

事業期間：2022年度～2025年度

事業概要：「綠色創新基金事業／下一代數位基礎設施建構」項目

NEDO綠色創新基金事業特設網站：https://green-innovation.nedo.go.jp/

下一代數位基礎設施建構

https://green-innovation.nedo.go.jp/project/building-next-generation-digital-infrastructure/

羅姆新聞發布網站

https://www.rohm.co.jp/news-detail?news-title=2026-04-02_news&defaultGroupId=false

※5　外延生長

在基板結晶上成長新結晶的薄膜結晶生長技術。能夠製造缺陷少的高品質半導體薄膜。

※6　IGBT

絕緣柵雙極電晶體（Insulated Gate Bipolar Transistor），即絕緣柵型雙極電晶體。