三菱電機開始提供電動車逆變器用「第5代SiC-MOSFET晶片」樣品
Key facts
- 三菱電機開始提供電動車逆變器用「第5代SiC-MOSFET晶片」樣品
- 三菱電機株式會社針對電動車（xEV）的驅動馬達逆變器及eAxle，開發出採用獨家FSC構造、使導通電阻較傳統產品降低約25%的「第5代SiC-MOSFET晶片」兩款產品，並將於2026年6月下旬起陸續開始提供樣品。
- Source: PR Times
- Date: 2026年6月5日
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三菱電機株式會社針對電動車（xEV）的驅動馬達逆變器及eAxle，開發出採用獨家FSC構造、使導通電阻較傳統產品降低約25%的「第5代SiC-MOSFET晶片」兩款產品，並將於2026年6月下旬起陸續開始提供樣品。
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- 三菱電機開始提供電動車逆變器用「第5代SiC-MOSFET晶片」樣品 (2026年6月5日), PR Times
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- PR Times
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- 2026年6月5日
三菱電機株式會社針對電動車（xEV）的驅動馬達逆變器及eAxle，開發出採用獨家FSC構造、使導通電阻較傳統產品降低約25%的「第5代SiC-MOSFET晶片」兩款產品，並將於2026年6月下旬起陸續開始提供樣品。
📋 文章處理履歷
- 📰 發表: 2026年6月5日 02:10
- 🔍 收集: 2026年6月4日 17:26
- 🤖 AI分析完成: 2026年6月6日 21:04（收集後51小時37分鐘）
三菱電機株式會社宣布將於2026年6月下旬起，陸續提供兩款新型第5代SiC-MOSFET晶片樣品。該產品主要應用於電動車（xEV）及插電式混合動力車（PHEV）的驅動馬達逆變器與eAxle。新晶片採用獨家研發的溝槽（Trench）式FSC構造，搭配斜向離子注入技術提高晶胞密度，成功使導通電阻較傳統溝槽型產品降低約25%，達到業界頂尖的低導通電阻水準。此技術可提升逆變器性能並縮小其體積，進而延長電動車的續航里程並改善電耗。此外，新產品採用獨家製造工藝技術，能抑制因體二極體（Body Diode）通電造成的性能劣化，並減少開關切換時的電力損失與導通電阻波動，確保長期使用的穩定品質與耐用度。該晶片預計在2026年6月9日至11日於德國紐倫堡舉辦的「PCIM Expo & Conference 2026」展會，以及日本、中國等地的展示會中展出。三菱電機將持續擴大提供低損耗、高品質的SiC-MOSFET晶片，為綠色轉型（GX）做出貢獻。
常見問題
谁开发了“第5代SiC-MOSFET芯片”并提供样品？
由三菱电机株式会社开发并开始提供样品。
该产品的样品开始提供时间是什么时候？价格是多少？
将于2026年6月下旬起陆续开始提供。本新闻稿中未提及样品价格。
该功率半导体芯片的用途和目的是什么？
用于电动汽车（xEV）的驱动电机逆变器和eAxle，旨在延长续航里程并提高电能利用效率。
与传统产品相比，它有哪些技术特点和效果？
采用独特的Flat Source Contact (FSC)沟槽结构和离子注入技术，比传统沟槽型产品降低了约25%的导通电阻，并凭借独特的工艺技术实现长期的稳定品质。
该新产品计划在哪些展会上展出？
计划在德国纽伦堡举办的“PCIM Expo & Conference 2026”（2026年6月9日至11日）以及日本和中国的展会上展出。