應用材料公司推出新型薄膜沉積與選擇性蝕刻設備，推動3D晶片微縮進展

全新設備實現高深寬比3D邏輯與記憶體晶片結構中的高精度材料工程

Centris™ Spectral™ SiN ALD採用突破性微波電漿技術，在複雜3D結構內沉積均勻的氮化矽（SiN）薄膜

Producer™ Selectra™ Mo Etch透過選擇性去除鉬實現字元線分離，推動3D NAND微縮

新系統已獲主要邏輯與記憶體晶片製造商採用於先進製程生產

應用材料公司（Applied Materials, Inc.，Nasdaq：AMAT）為半導體產業材料工程領域的領導者，總部位於美國加州聖塔克拉拉，總裁兼執行長為蓋瑞、E・迪克森。公司於6月15日（當地時間）宣布推出兩款新型半導體製造設備，可精確加工更深、更窄的3D結構，解決先進半導體製造中的關鍵挑戰。這兩款新型薄膜沉積與蝕刻設備，將支援邏輯與記憶體晶片製造的微縮擴展，提升次世代AI晶片的效能、能源效率與製造良率。

隨著AI運算的快速擴張，產業正加速向先進3D裝置架構轉型，包括環繞式電晶體（GAA）與高層數3D NAND。這些垂直結構越深越窄，傳統的薄膜沉積與蝕刻製程就越難從頂部到底部均勻分布材料，導致電性表現下降與良率降低的變異性問題。

為解決此挑戰，應用材料公司推出Centris™ Spectral™ SiN ALD*與Producer™ Selectra™ Mo Etch。半導體製造商可透過這些設備，精確控制高深寬比結構中的介電質薄膜沉積與金屬去除。此舉使先進製程節點能實現更均勻的材料工程，在各類邏輯與記憶體應用中持續推動3D微縮，同時提升裝置效能、製程控制與可製造性。

應用材料公司半導體產品集團總裁普拉布、拉加表示：「當產業不斷突破AI運算的極限，最大的成長機會 increasingly 來自材料工程。從電晶體結構到記憶體堆疊，半導體製造商正尋求在極度複雜的3D架構中實現精確材料沉積與選擇性材料去除的新方法。我們透過最新的沉積與選擇性蝕刻設備，提供獨特且差異化的功能，協助客戶克服關鍵微縮挑戰，加速邏輯與記憶體領域的下一波創新浪潮。」

Centris Spectral SiN ALD：在複雜3D結構中實現均勻薄膜沉積

氮化矽（SiN）是半導體製造中用於表面鈍化、絕緣分離與圖案間隔層形成等多種製程的基礎材料。SiN薄膜必須在低溫下沉積以保護相鄰的微細結構，同時也需具備高化學穩定性，以承受後續嚴苛的製程條件。

傳統電漿沉積技術難以在先進3D晶片架構的高深寬比結構中均勻處理，導致SiN薄膜品質下降。為解決此問題，Centris Spectral SiN ALD採用突破性的高密度微波電漿技術，在高深寬比的微細結構內部沉積高品質SiN薄膜。此技術克服了傳統方法中電漿密度與離子損傷之間的取捨問題。該設備即使面對複雜3D結構，也能在低溫下生成高密度且均勻的SiN薄膜。

此設備適用於廣泛應用，可進一步推動DRAM與邏輯裝置的微縮。例如在GAA電晶體中，可利用此設備在電晶體接點形成高品質襯層，降低介面電阻與寄生電容，進而提升裝置速度與效能。

Centris Spectral SiN ALD是應用材料公司全新Spectral ALD平台上的最新設備。Spectral ALD平台為一系列採用尖端四反應腔設計的ALD工具，具備高精度前驅物供應、多種電漿與熱處理功能，並配備專用硬體支援時間分割與空間分割ALD製程，可生成支撐次世代AI晶片的各種先進薄膜。

Spectral SiN ALD已獲多家主要晶片製造商採用。設備功能動畫介紹請見此處。

Producer Selectra Mo Etch：透過選擇性金屬去除實現3D NAND微縮

隨著3D NAND堆疊層數增加，需要新的金屬整合製程，傳統圖案化技術已接近極限。低電阻金屬如鉬（Mo）正被用於字元線金屬化，但為防止短路並抑制不必要的電容，必須精確分離各字元線。過去字元線分離多依賴濕式蝕刻，但今日的高深寬比3D堆疊使液相製程難以深入結構最底層，導致蝕刻輪廓偏向頂部（頂部偏重），限制裝置效能、良率與可擴展性。

Producer Selectra Mo Etch具備高度選擇性去除金屬的新功能，可在整個堆疊中實現精確且均勻的字元線分離。透過高精度製程控制與先進氣體供應技術，克服濕式蝕刻的限制，在深而高深寬比的結構中實現從頂至底的均勻且緊密的輪廓控制。

此設備可降低3D NAND堆疊中單元間的變異性，抑制漏電流並提升資料保存能力。Selectra Mo Etch已於量產製程中驗證，確立選擇性金屬蝕刻的新基準，推動產業從傳統濕式蝕刻轉向次世代3D NAND微縮。此設備將Selectra產品組合的應用範圍從介電質與矽擴展至先進金屬整合，服務NAND、D