AndTech 將於7月23日舉辦關於氮化鋁基半導體用於高壓功率元件的 Zoom 研討會
AndTech 公司將於2026年7月23日舉辦一場 Zoom 線上研討會，主題聚焦於用於次世代功率元件的氮化鋁基半導體基板、二極體、鐵電及高散熱材料的開發趨勢與未來展望。來自東京理科大學、東京大學及德山公司的專家將進行演講。
📋 文章處理履歷
- 📰 發表: 2026年6月3日 22:48
- 🔍 收集: 2026年6月3日 14:05
- 🤖 AI分析完成: 2026年6月6日 23:39（收集後81小時33分鐘）
AndTech 股份有限公司（總公司：神奈川縣川崎市，代表取締役社長：陶山正夫，以下簡稱 AndTech）作為其研發支援 Zoom 講座系列的一部分，將開設一門由頂尖專家主講的「氮化鋁 次世代功率半導體」課程，以應對近期日益高漲的氮化鋁次世代功率半導體問題解決需求。
本課程將解說並介紹新材料「ScAlN」的結構特徵和鐵電性基礎，該材料具有超越 AlGaN 的極化能力，並有潛力在與 GaN 保持晶格匹配的同時實現高密度 2DEG；同時也將介紹氮化鋁系蕭特基勢壘二極體的研究進展，以及高散熱/氮化物材料的特性及其在功率元件上的應用發展。
本課程預計於 2026 年 7 月 23 日開課。
詳細資訊：https://andtech.co.jp/seminars/1f149c45-4b39-676e-82ef-064fb9a95405
線上直播・網路研討會 概要
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主題：邁向實現次世代超高耐壓・高輸出功率元件之氮化鋁（AlN）系半導體基板、二極體、鐵電・高散熱材料的開發動向與未來展望
舉辦日期時間：2026 年 7 月 23 日（星期四）13:00-16:35
參加費用：55,000 日圓（含稅）※ 預計以電子方式提供資料
URL：https://andtech.co.jp/seminars/1f149c45-4b39-676e-82ef-064fb9a95405
網路配信形式：Zoom（報名後將發送 URL）
研討會內容構成
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－課程與講師－
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第1部 鐵電性氮化物半導體的創建及其在電子元件上的應用
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講師 東京理科大學 先進工學部 / 副教授 小林篤 先生
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第2部 氮化鋁系蕭特基勢壘二極體的研究進展
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講師 東京大學 大學院工學系研究科 電氣系工學專攻 / 講師 前田拓也 先生
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第3部 高散熱・氮化物材料及其在功率元件上的應用展開
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講師 德山股份有限公司 新事業本部 散熱應用組 / 組長 金近幸博 先生
本研討會可學到的知識及可解決的技術課題
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・新材料「ScAlN」的結構特徵和鐵電性等基礎知識，該材料具有超越 AlGaN 的極化能力，並有潛力在與 GaN 保持晶格匹配的同時實現高密度 2DEG
・氮化鋁系蕭特基勢壘二極體的研究進展
・絕緣性・高熱傳導材料即氮化物填料及其應用技術
本研討會的參加形式
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這將是使用網路會議工具「Zoom」進行的線上直播研討會。
詳細資訊將在報名後提供。
關於 AndTech 股份有限公司
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我們為從事化學、材料、電子、汽車、能源、醫療器材、食品包裝、建材等廣泛領域研發的客戶，提供資訊與研究開發支援服務。
本公司擁有頂尖的講師陣容，提供從「技術講習會・研討會」開始，到「講師派遣」、「出版」、「顧問派遣」、「市場動向調查」、「商業媒合」、「事業開發顧問」等多樣化服務。
我們傾聽客戶的聲音，為客戶進入期望的新事業領域與市場提供有效的支援。
https://andtech.co.jp/
AndTech 技術講習會一覽
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我們每個月都會舉辦多場由頂尖講師主講的網路講座研討會。
https://andtech.co.jp/seminars/search
AndTech 書籍一覽
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我們從精選的主題中，挑選出需求較高的項目來發行書籍。
https://andtech.co.jp/books
AndTech 顧問服務
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我們派遣經驗豐富、專業性高的技術顧問。
https://andtech.co.jp/business-consulting
關於本件之諮詢
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AndTech 股份有限公司 公關PR負責人 青木
電子郵件地址：pr●andtech.co.jp（請將●改為@後聯繫）
以下為全部課程項目（若您對詳細內容感興趣，請務必參閱）
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∽∽───────────────────────∽∽
第1部 鐵電性氮化物半導體的創建及其在電子元件上的應用
【演講主旨】
近年來，在高頻通訊和功率電子領域，高電子遷移率電晶體（HEMT）等氮化物半導體元件的應用不斷進展，市場對更高輸出、更高效率運作的需求日益增加。為了在 GaN 通道中形成高密度的二維電子氣（2DEG），需要在阻障層上下功夫，但傳統的 AlGaN 由於與 GaN 的晶格不匹配而存在臨界膜厚的限制，導致 2DEG 密度有上限的問題。因此，強烈期望引入一種基於不同原理、能產生大極化的新型阻障層材料。
本講座將聚焦於新材料「ScAlN」，該材料具有超越 AlGaN 的極化能力，並有潛力在與 GaN 保持晶格匹配的同時實現高密度 2DEG，從其結構特徵和鐵電性等基礎知識開始解說。此外，也將介紹我們迄今為止通過濺鍍法進行 ScAlN 磊晶薄膜生長技術的最新資訊，包括在廣泛組成範圍內對晶體結構和晶格常數的評估，以及在 GaN HEMT 結構上進行磊晶生長的嘗試。更進一步，也將介紹面向元件應用的雜質降低和極性控制的重要性，以及通過優化生長製程（如提高生長溫度和後退火處理）來改善電氣特性的注意事項。
【課程大綱】
1. 緒論：次世代氮化物半導體元件
2. ScAlN 的特徵：壓電性與鐵電性
3. ScAlN 的晶體結構：纖鋅礦結構的穩定性與向層狀結構相變的理論與現狀
4. 通過濺鍍法製作 ScAlN 薄膜的技術：成膜條件的優化與金屬/氮氣供應比的控制
5. 在 GaN 上的磊晶生長
本課程將解說並介紹新材料「ScAlN」的結構特徵和鐵電性基礎，該材料具有超越 AlGaN 的極化能力，並有潛力在與 GaN 保持晶格匹配的同時實現高密度 2DEG；同時也將介紹氮化鋁系蕭特基勢壘二極體的研究進展，以及高散熱/氮化物材料的特性及其在功率元件上的應用發展。
本課程預計於 2026 年 7 月 23 日開課。
詳細資訊：https://andtech.co.jp/seminars/1f149c45-4b39-676e-82ef-064fb9a95405
線上直播・網路研討會 概要
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主題：邁向實現次世代超高耐壓・高輸出功率元件之氮化鋁（AlN）系半導體基板、二極體、鐵電・高散熱材料的開發動向與未來展望
舉辦日期時間：2026 年 7 月 23 日（星期四）13:00-16:35
參加費用：55,000 日圓（含稅）※ 預計以電子方式提供資料
URL：https://andtech.co.jp/seminars/1f149c45-4b39-676e-82ef-064fb9a95405
網路配信形式：Zoom（報名後將發送 URL）
研討會內容構成
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－課程與講師－
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第1部 鐵電性氮化物半導體的創建及其在電子元件上的應用
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講師 東京理科大學 先進工學部 / 副教授 小林篤 先生
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第2部 氮化鋁系蕭特基勢壘二極體的研究進展
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講師 東京大學 大學院工學系研究科 電氣系工學專攻 / 講師 前田拓也 先生
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第3部 高散熱・氮化物材料及其在功率元件上的應用展開
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講師 德山股份有限公司 新事業本部 散熱應用組 / 組長 金近幸博 先生
本研討會可學到的知識及可解決的技術課題
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・新材料「ScAlN」的結構特徵和鐵電性等基礎知識，該材料具有超越 AlGaN 的極化能力，並有潛力在與 GaN 保持晶格匹配的同時實現高密度 2DEG
・氮化鋁系蕭特基勢壘二極體的研究進展
・絕緣性・高熱傳導材料即氮化物填料及其應用技術
本研討會的參加形式
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這將是使用網路會議工具「Zoom」進行的線上直播研討會。
詳細資訊將在報名後提供。
關於 AndTech 股份有限公司
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我們為從事化學、材料、電子、汽車、能源、醫療器材、食品包裝、建材等廣泛領域研發的客戶，提供資訊與研究開發支援服務。
本公司擁有頂尖的講師陣容，提供從「技術講習會・研討會」開始，到「講師派遣」、「出版」、「顧問派遣」、「市場動向調查」、「商業媒合」、「事業開發顧問」等多樣化服務。
我們傾聽客戶的聲音，為客戶進入期望的新事業領域與市場提供有效的支援。
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我們每個月都會舉辦多場由頂尖講師主講的網路講座研討會。
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我們從精選的主題中，挑選出需求較高的項目來發行書籍。
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我們派遣經驗豐富、專業性高的技術顧問。
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關於本件之諮詢
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AndTech 股份有限公司 公關PR負責人 青木
電子郵件地址：pr●andtech.co.jp（請將●改為@後聯繫）
以下為全部課程項目（若您對詳細內容感興趣，請務必參閱）
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第1部 鐵電性氮化物半導體的創建及其在電子元件上的應用
【演講主旨】
近年來，在高頻通訊和功率電子領域，高電子遷移率電晶體（HEMT）等氮化物半導體元件的應用不斷進展，市場對更高輸出、更高效率運作的需求日益增加。為了在 GaN 通道中形成高密度的二維電子氣（2DEG），需要在阻障層上下功夫，但傳統的 AlGaN 由於與 GaN 的晶格不匹配而存在臨界膜厚的限制，導致 2DEG 密度有上限的問題。因此，強烈期望引入一種基於不同原理、能產生大極化的新型阻障層材料。
本講座將聚焦於新材料「ScAlN」，該材料具有超越 AlGaN 的極化能力，並有潛力在與 GaN 保持晶格匹配的同時實現高密度 2DEG，從其結構特徵和鐵電性等基礎知識開始解說。此外，也將介紹我們迄今為止通過濺鍍法進行 ScAlN 磊晶薄膜生長技術的最新資訊，包括在廣泛組成範圍內對晶體結構和晶格常數的評估，以及在 GaN HEMT 結構上進行磊晶生長的嘗試。更進一步，也將介紹面向元件應用的雜質降低和極性控制的重要性，以及通過優化生長製程（如提高生長溫度和後退火處理）來改善電氣特性的注意事項。
【課程大綱】
1. 緒論：次世代氮化物半導體元件
2. ScAlN 的特徵：壓電性與鐵電性
3. ScAlN 的晶體結構：纖鋅礦結構的穩定性與向層狀結構相變的理論與現狀
4. 通過濺鍍法製作 ScAlN 薄膜的技術：成膜條件的優化與金屬/氮氣供應比的控制
5. 在 GaN 上的磊晶生長
常見問題
這個研討會的主要學習內容是什麼？
您可以學習 ScAlN 的基礎知識、氮化鋁蕭特基二極體的研究，以及高導熱氮化物材料在功率元件上的應用。
研討會的參加費用是多少？
參加費用為 55,000 日圓（含稅）。將提供電子資料。
研討會是什麼形式？
這是一場使用 Zoom 進行的線上直播研討會。