FLOSFIA株式會社在JST支援下開發下一代功率半導體，旨在減少電力損耗並降低成本
FLOSFIA株式會社在JST的支援下，正開發利用α型氧化鎵的下一代功率半導體。此舉旨在實現世界頂級的低損耗和高耐壓，同時透過其專有的「MistDry®法」降低成本。目標是提高AI數據中心和電動汽車等各種應用中的電力轉換效率，為節能和減少二氧化碳排放做出貢獻。
📋 文章處理履歷
- 📰 發表: 2026年5月11日 23:00
- 🔍 收集: 2026年5月11日 14:31
- 🤖 AI分析完成: 2026年5月11日 22:12（收集後7小時40分鐘）
JST（理事長 橋本 和仁）已決定在2025年度「研究成果最適展開支援計畫（A-STEP）實施支援（償還型）」的招募中，向FLOSFIA株式會社（總部：京都市，代表取締役社長：四戶 孝）提供開發支援。在A-STEP的支援下，FLOSFIA將利用α型氧化鎵的材料特性，開發出世界最高水準的低損耗、高耐壓下一代功率半導體，並致力於推廣這項兼具電力轉換高效率化和低成本化的實施技術。
α型氧化鎵（α-Ga₂O₃）功率半導體業務發展的形象（來源：FLOSFIA株式會社）
▶ 不斷增長的電力需求與「電力損耗」的挑戰
近年來，由於AI數據中心的增加、電動汽車（EV）和工業設備的高度化，社會整體的電力消耗正在迅速擴大。電力在發電後並非直接使用，而是需要根據使用場景進行電壓和電流的轉換。在這個電力轉換過程中，大量能量的損失已成為一個重大的社會問題。實際上，在日本國內，電力轉換時的損耗據稱相當於總發電量的10%以上，如何減少電力損耗成為提高能源效率的關鍵。
▶ 功率半導體支撐著社會
在電力轉換中扮演核心角色的是「功率半導體」。功率半導體被廣泛應用於支撐我們社會基礎設施的各個領域，包括AI數據中心的電源、電動汽車、快速充電器、工業設備和輸配電設施等。目前主流的矽（Si）製功率半導體雖然可靠性高，但存在電力損耗大的問題。另一方面，備受矚目的高性能新材料碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）雖然性能優越，但製造成本高昂，成為阻礙其普及的障礙。
▶ FLOSFIA開發的「新材料」
FLOSFIA正在開發一種名為「α型氧化鎵（α-Ga₂O₃）」的新型半導體材料。這種材料具有耐高壓、大幅減少電力損耗的特點，理論上預期性能超越傳統材料。此外，FLOSFIA的強大優勢在於，透過與京都大學共同研究誕生的獨家技術「MistDry®法」，能夠以相對較低的成本量產這種高性能材料。這項技術是將含有α型氧化鎵晶體材料的液體霧化（Mist）後供應到基板上，從而在低溫、大氣壓的簡單條件下生長出高品質的晶體。
MistDry®法原理（來源：FLOSFIA株式會社）
▶ 本次開發的目標
在本次JST支援計畫中，FLOSFIA設定了以下目標：
在已實現的600V級器件基礎上進一步發展，開發1200V級高耐壓功率MOSFET（透過施加到閘極電極的電壓控制電流的電晶體），同時進行AI數據中心和電動汽車所需的性能驗證，並向客戶企業提供原型產品。此外，還將根據國際半導體可靠性標準進行長期測試，以確保達到實用水平的可靠性。
▶ 實用化後社會將如何改變？
這項技術的實用化預計將減少電力轉換時的電力損耗，降低電力使用量，從而減少能源成本和二氧化碳排放。
FLOSFIA展望將其應用於AI數據中心、電動汽車逆變器和充電器、工業電源、電力基礎設施設備等廣泛領域。
透過同時實現「低損耗、高耐壓、低成本」，FLOSFIA將為功率半導體市場提供新的選擇，並為實現高能源效率的社會做出貢獻。
▶ 開發概要
1. 開發課題名稱
1200V10A級α型氧化鎵功率MOSFET的開發
2. 創造技術種子的大學等研究人員
藤田 靜雄（京都大學 名譽教授）
3. 開發實施企業
企業名稱
FLOSFIA株式會社
設立月份
2011年3月
總部所在地
京都府京都市
代表取締役社長
四戶 孝
業務內容
α型氧化鎵（α-Ga₂O₃）功率半導體的開發與實施
▶ A-STEP實施支援（償還型）概要
1. 制度概要
本計畫旨在支援以大學等研究成果（技術種子）的社會實施為目標的初創企業等，透過貸款開發費用來推動創新產品和服務的實用化開發。
2. 對象企業：初創企業等
3. 支援規模
開發期間：最長3年
開發費用：上限5億日元（每季度預付概算金額）
4. 償還條件：
償還金額：JST已支出
α型氧化鎵（α-Ga₂O₃）功率半導體業務發展的形象（來源：FLOSFIA株式會社）
▶ 不斷增長的電力需求與「電力損耗」的挑戰
近年來，由於AI數據中心的增加、電動汽車（EV）和工業設備的高度化，社會整體的電力消耗正在迅速擴大。電力在發電後並非直接使用，而是需要根據使用場景進行電壓和電流的轉換。在這個電力轉換過程中，大量能量的損失已成為一個重大的社會問題。實際上，在日本國內，電力轉換時的損耗據稱相當於總發電量的10%以上，如何減少電力損耗成為提高能源效率的關鍵。
▶ 功率半導體支撐著社會
在電力轉換中扮演核心角色的是「功率半導體」。功率半導體被廣泛應用於支撐我們社會基礎設施的各個領域，包括AI數據中心的電源、電動汽車、快速充電器、工業設備和輸配電設施等。目前主流的矽（Si）製功率半導體雖然可靠性高，但存在電力損耗大的問題。另一方面，備受矚目的高性能新材料碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）雖然性能優越，但製造成本高昂，成為阻礙其普及的障礙。
▶ FLOSFIA開發的「新材料」
FLOSFIA正在開發一種名為「α型氧化鎵（α-Ga₂O₃）」的新型半導體材料。這種材料具有耐高壓、大幅減少電力損耗的特點，理論上預期性能超越傳統材料。此外，FLOSFIA的強大優勢在於，透過與京都大學共同研究誕生的獨家技術「MistDry®法」，能夠以相對較低的成本量產這種高性能材料。這項技術是將含有α型氧化鎵晶體材料的液體霧化（Mist）後供應到基板上，從而在低溫、大氣壓的簡單條件下生長出高品質的晶體。
MistDry®法原理（來源：FLOSFIA株式會社）
▶ 本次開發的目標
在本次JST支援計畫中，FLOSFIA設定了以下目標：
在已實現的600V級器件基礎上進一步發展，開發1200V級高耐壓功率MOSFET（透過施加到閘極電極的電壓控制電流的電晶體），同時進行AI數據中心和電動汽車所需的性能驗證，並向客戶企業提供原型產品。此外，還將根據國際半導體可靠性標準進行長期測試，以確保達到實用水平的可靠性。
▶ 實用化後社會將如何改變？
這項技術的實用化預計將減少電力轉換時的電力損耗，降低電力使用量，從而減少能源成本和二氧化碳排放。
FLOSFIA展望將其應用於AI數據中心、電動汽車逆變器和充電器、工業電源、電力基礎設施設備等廣泛領域。
透過同時實現「低損耗、高耐壓、低成本」，FLOSFIA將為功率半導體市場提供新的選擇，並為實現高能源效率的社會做出貢獻。
▶ 開發概要
1. 開發課題名稱
1200V10A級α型氧化鎵功率MOSFET的開發
2. 創造技術種子的大學等研究人員
藤田 靜雄（京都大學 名譽教授）
3. 開發實施企業
企業名稱
FLOSFIA株式會社
設立月份
2011年3月
總部所在地
京都府京都市
代表取締役社長
四戶 孝
業務內容
α型氧化鎵（α-Ga₂O₃）功率半導體的開發與實施
▶ A-STEP實施支援（償還型）概要
1. 制度概要
本計畫旨在支援以大學等研究成果（技術種子）的社會實施為目標的初創企業等，透過貸款開發費用來推動創新產品和服務的實用化開發。
2. 對象企業：初創企業等
3. 支援規模
開發期間：最長3年
開發費用：上限5億日元（每季度預付概算金額）
4. 償還條件：
償還金額：JST已支出